57
шығарынды үшін нөл мәнін тиісінше шығару керек.
Бұл
конденсаторды кішкентай болса да, коммутациялық коммутациядан
гөрі әлдеқайда ұзақ жұмыс (10 немесе одан да көп). Екінші
маңызды кемшілігі – бұл конденсаторлар зарядтың «ағуына» бейім;
жай ғана уақыт өте келе, конденсаторлар қуатсызданады, олар
әлдеқайда тезірек шығарылады.
Конденсаторлардағы жады «динамикалық жады» деп аталды,
себебі оның биттері статикалық түрде сақталмайды, бірақ
уақытында динамикалық түрде «ағызылады». Осы жағдайға
байланысты жадтың мазмұнын жоғалтпау үшін конденсаторлар
қалпына келтіруге арналған заряд белгілі бір уақыт аралығынан
кейін «қалпына келтірілуі» керек.
Регенерация орталық микропроцессор немесе жады контроллері
жолдармен хабарласқан кезде белгілі бір оқу циклі үшін
орындалады. Жадты қалпына келтіру үшін барлық жады
операциялары уақытша тоқтатылғандықтан, бұл ЖЖҚ осы түрінің
өнімділігін айтарлықтай азайтады.
D R A M с и п а т т а м а с ы . DRAM-ның негізгі сипаттамалары -
жұмыс жиілігі және уақыттары. Жад модуліне қол жеткізгенде,
жады контроллері банк нөмірін, ондағы беттің нөмірін, жол нөмірін
және баған нөмірін анықтайды және барлық осы сұраулар
ақталмайды. Бұдан басқа, операцияны жүзеге асырғаннан кейін
банктің ашылуы мен аяқталуы үшін өте ұзақ уақыт жұмсалады.
Әрбір әрекет уақытты талап етеді.
DRAM -ның негізгі таймингі мыналар болып табылады: сызық
нөмірі мен баған нөмірін жеткізу арасындағы толық кешігу уақыты
(RAS to CAS delay); (CAS delay) жұмысшы циклі уақыты деп
аталатын ұяшық ішіндегіні лау мен баған нөмірін беру арасындағы
кедергі; Соңғы ұяшықты оқып, жаңа жол нөмірін берудің кешігуі
(RAS precharge). Тайминг наносекундтарда немесе жолақтарда
өлшенеді, ал бұл таймингтар қаншалықты аз болса, оперативті
жады жылдамырақ болады.
D R A M т и п т е р і . Ұзақ уақыт бойы әртүрлі жадыларды
әзірлеушілер жасаған. Олар әртүрлі сипаттамаларға ие болды, олар
әртүрлі техникалық шешімдерді қолданды. Жадты дамытудың
басты қозғаушы күші компьютерлер мен орталық процессорларды
дамыту болды. ЖЖҚ жылдамдығы мен көлемін арттыру үнемі
қажет болды.
DDR SDRAM. SDRAM-да екі есе жылдамдықпен (SDRAM, DDR
58
SDRAM немесе SDRAM II) деректерді беру жылдамдығы екі есе
көбейді. Бастапқыда бұл бейне жад видео платаларда қолданылған,
бірақ кейінірек DDR SDRAM-ның чипсеталар тарапынан қолдау
алды.
Алдыңғы DRAM барлық мекенжайлардың, деректердің және
бақылаудың
сызықтарымен
бөлініп,
құрылғылардың
жылдамдығына шектеу қойды. Бұл шектеулерді еңсеру үшін,
кейбір технологиялық шешімдерде барлық сигналдар бір шинада
жасалды. Осы шешімдердің екеуі DRDRAM және SLDRAM
технологиялары болып табылады. Олар танымалдылыққа ие және
назар аударуға лайықты. SLDRAM стандарты ашық, ал алдыңғы
технология сияқты сағаттық беткейлерді де пайдаланады.
Интерфейске тоқталатын болсақ, SLDRAM SynchLink Interface деп
аталатын хаттаманы қабылдап, 400 МГц жиілігінде жұмыс істеуге
ұмтылады.
DDR SDRAM жады 100, 133, 166 және 200 МГц жиіліктерінде
жұмыс істейді, оның толық кіру уақыты 30 және 22,5 нс болса,
жұмыс циклінің уақыты 5; 3.75; 3 және 2,5 нс.
Синхрондау жиілігі 100-ден 200 МГц-ге дейінгі диапазонда
болғандықтан, деректер синхронды импульстікке 2 бит беріледі,
бұл сигнал импульсінің алдыңғы және слайдында тиімді
деректердің жылдамдығы 200-ден 400 МГц диапазонында болады.
Мұндай жад модульдері DDR200, DDR266, DDR333, DDR400 деп
белгіленген.
DDR2 SDRAM. Құрылымдық жағынан, DDR2 SDRAM жаңа түрі
2004 жылы шығарылды. DDR SDRAM технологиясының негізінде
осы түрдегі жады техникалық өзгерістерге байланысты жоғары
өнімділікті көрсетеді және қазіргі заманғы компьютерлерде
пайдалануға арналған. Жад 200, 266, 333, 337, 400, 533, 575 және
600 МГц шина жиіліктерімен жұмыс істей алады. Сонымен бірге
деректерді берудің тиімді жылдамдығы 400, 533, 667, 675, 800,
1066, 1150 және 1200 МГц-ге сәйкес келеді. Кейбір жад
модульдерінің өндірушілері стандартты жиіліктерге қосымша
стандартты емес (аралық) жиіліктерде жұмыс істейтін үлгілерді де
шығарады. Олар жиілік бойынша қоры талап етілетін аса үдеткіш
жүйелерде пайдалануға арналған. Толық кіру уақыты - 25; 11.25; 9;
7.5 нс немесе одан аз. Жұмыс уақыты 5-тен 1,67 нс-қа дейін.
DDR3 SDRAM. Жадтың бұл түрі DDR2 SDRAM технологиясына
негізделген, жады шинасында деректерді беру жиілігін екі есе
59
2.17-сурет. Оперативтік жадының модульдерін конструктивті орнату
көбейтеді. Оның электр энергиясы тұтынушыларға қарағанда
әлдеқайда төмен. Өткізу жиілігі 800-ден 2400 МГц-ге дейінгі
диапазонда орналасқан (жиілігі 3000 МГц-ден асады), бұл барлық
бастамашылдықтарымен салыстырғанда үлкен өткізу қабілеттілігін
қамтамасыз етеді.
D R A M ж а д ы н к о н с т р у к т и в т і о р ы н д а у . DRAM
түрінің жадысы құрылымдық түрде жекелеген DIMM типіне
негізделген микросызбалар түрінде орындалады (2.17-сурет).
DIMM модульдері. DIMM модулінің түрі (Dual In-line Memory
Module) екі жағында байланыс аймақтары бар ұзын тікбұрышты
тақталар болып табылады. Олар қосқыш коннекторына тігінен
орнатылады және екі бекіткішпен бекітіледі. Тақтасындағы жад
микросхемасы бір және екі жаққа орнатылуы мүмкін.
SDRAM сияқты жад модульдері 168-байланысты DIMM-
модульдер түрінде, DDR SDRAM - 184-байланысты түрінде және
DDR2, DDR3 және FB-DIMM SDRAM - 240-байланысты
модульдерінде жиі кездеседі.
Достарыңызбен бөлісу: |
