Жұмысты орындау тәртібі
Қондырғының сұлбасымен танысу.
Зерттеу объектісі.
өлшеуіштік қондырғы.
Өлшеуіштік қондырығының және зерттеу объектісін өлшеуіштік қондырғының артқы панеліндегі және зерттеу объектісінің алдыңғы панеліндегі СЕТЬ деген жазуы бар кілттер арқылы желіге қосу керек. Осы кезде өлшеуіштік қондырғының Ом деген индикаторында нөл, ал оС индикаторында – қоршаған ортаның температурасы тұруы керек. Өлшеуіштік қондырғының қалған индикаторлары жанып турмау керек. Зерттеу объектісінде СЕТЬ индикаторы жанып тұру керек, ал ВЕНТ деген индикатор сөніп тұруы керек.
5 мин қыздыру керек.
Зерттеу объектісінің алдыңғы панелінде орналасқан ОБРАЗЕЦ кілті арқылы кедергісі зерттелетін объектті таңдаңыз.
«1»-металл (мыс);
«2»-температуралық коэффициенті төмені болатын балқыма (манганин немесе константан);
«3»-жартылай өткізгіш (жартылай өткізгішті терморезистор);
«0»-өлшеуіштік қондырғыны өлшеуіштік шығысы қысқартылған.
Қыздырылған кезде үлгінің кедергісін өлшеу келесі ретпен жүргізіледі.
Өлшеуіштік қондырғыдағы НАГРЕВ дене батырманы басыңыз (осы кезде НАГРЕВ индикаторы жану керек).
оС индикаторын (оның көрсеткіші өсу керек) бақылай отырып, қажет болатын өлшеу температурасына дейін жеткен кезде (өлшеу температралары қатарын әр 5 немесе 10 оС сайын алған дұрыс) СТОП ИНД батрмасын басыңыз (осы кезде СТОП ИНД сөнеді). Алынған мәндерді 1-кестеге жазыңыз.
Осындай әрекеттерді орынай отырып, қыздыру кезіндегі температурадан үлгі кедергісінің тәуелділігін алуға қажет болатын өлшеулерді жүргізіңіз.
Қыздыру температурасының максимал мәніне (100…120 оС) жеткен кезде зерттеу объектісіндегі НАГР мен ВЕНТ батырмаларын (немесе бірден ВЕНТ батырмасын) басыңыз. Осы кезде өлшеуіштік қондырғыдағы НАГРЕВ индикаторы өшуі керек және өлшеуіштік қондырғы мен зерттеу объектісіндегі ВЕНТ индикаторлары жану керек.
оС индикаторын бақылай отырып (оның көрсеткіші төмендеу керек), қажет болатын температураларға (төмендеу температуралары) сәйес келетін Ом индикаторындағы көрсеткішін СТОП ИНД режимін қосып-сөндіріп жазып алыңыз. Алынған мәндерді 2-кестеге жазыңыз.
Зерттеу объектісінің алдыңғы панелінде орналасқан ОБРАЗЕЦ кілті арқылы кедергісі зерттелетін екінші үлгіні таңдаңыз және 5п. Сәйкес әрекеттерді жасаңыз.
Зерттеу объектісінің алдыңғы панелінде орналасқан ОБРАЗЕЦ кілті арқылы кедергісі зерттелетін үшінші үлгіні таңдаңыз және 5п. Сәйкес әрекеттерді жасаңыз.
1-кесте
№
|
Үлгі
|
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
1
|
Металл
|
t оС
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R Ом
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2
|
Балқыма
|
t оС
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R Ом
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3
|
Жарт.өтк.
|
t оС
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R Ом
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2-кесте.
№
|
Үлгі
|
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
1
|
Металл
|
t оС
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R Ом
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2
|
Балқыма
|
t оС
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R Ом
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3
|
Жарт.өтк.
|
t оС
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R Ом
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Бақылау сұрақтары
Электрлік қасиеттеріне байланысты металдар мен жартылай өткізгіштердің арасындағы айырмашылық қандай?
Жартылай өткізгіштердің технологиялық қолданысын атап өтіңіз.
Терморезистр деген не және терморезистордың материалы ретінде неліктен жартылай өткізгішті алынады?
Меншікті және қоспалы жартылай өткізгіштердегі заряд тасымалдаушылардың температуралық тәуелділігін түсііндіріп беріңіз.
Электр өткізгіштік пен кедергінің меншікті және қоспалы жартылай өткізгіштердің температураларынан тәуелділігін түсіндіріңіз.
Терморезисторлардың ВАС түрі қандай? U(I)тәуелділігін түсіндіріңіз.
№ 6 Зертханалық жұмыс
Вакуумды фотоэлементті зерттеу
Жұмыстың мақсаты: Вакуумды фотоэлементтің вольт-амперлік және жарықтық сипаттамаларын алу; Вакуумды фотоэлементті зерттеу.
Теориялық кіріспе
Электромагнитті сәулелендірудің әсерінен заттардан электрондардың ыршып шығуын фотоэлектрлік эффект немесе фотоэффект деп атайады. Фотоэффекттің үш түрі бар: сыртқы, ішкі және вентильді. Егер электрондар жарық түсірілген дененің бетінен қоршаған ортаға ыршып шықса, фотоэффект сыртқы деп аталады және ол металдарға тән.
Сыртқы фотоэффект үшін Столетовтың келесі заңдары белгіленген:
1) фотоэффект инерциалды емес, яғни жарықтандыра бастаған мезетпен фотоэлектрондардың пайда болуының арасында кешігу жоқ;
2) заттың бетінен бірлік уақытта ыршып шығатын электрондар саны түскен, жарықтың спектралды құрамы өзгермеген жағдайда, жарықтың интенсивтілігіне тура пропорционал;
3) заттан ыршып шығатын электрондардың жылдамдығы, жұтылатын жарықтың  жиілігінің функциясы болып табылады. Жиілік артқан кезде фотоэлектрондардың жылдамдығы, яғни, олардың бастапқы кинетикалық энергиясы да  сызықты артады;
4) әр бір зат үшін анықталған қандай да бір минимал  жиілік бар, егер жарық жиілігі одан төмен болса фотоэффект байқалмайды. Ол жиілік фотоэффекттің қызыл шегі деп аталады.
Эйнштейн кванттық үрдістерде энергияның сақталу заңының негізінде электрондардың жарықтың әсерінен ыршып шығу кезіндегі энергиясы мен сол жарықтың жиілігінің арасындағы сандық байланысын анықтаған; яғни Эйнштейн теңдеуі
 (1)
мұндағы  = 6,62 10-34Дж с –Планк тұрақтысы;
- түскен жарықтың жиілігі;
 - түскен фотонның энергиясы;
m – электрон массасы;
 - ыршып шығатын электронның жылдамдығы;
 - электронның металдан шығу жұмысы.
Бұл теңдеуді былай түсіну қажет: энергиясы фотон металға түскен кезде өзінің энергиясын электронға береді. Ол энергия, біріншіден, электронның металдан шығу жұмысын атқаруға, екіншіден, электронға кинетикалық энергияны беруге жұмсалады. Егер  болса фотоэффект байқалмайды. Заттардың көбі үшін фотоэффекттің қызыл шегі спектрдің ультракүлгін бөлігінде жатыр және тек сілтілік металдар үшін ол көрінетін және кейде инфрақызыл бөлігінде болады.
Достарыңызбен бөлісу: |
