Коммерциялық емес акционерлік қоғам электртехникалық материалдар және өнімдер

37 
8.4. Жартылай электрөткізгіштің сыртқы факторлардың әсеріне 
тәуелділігі
Зарядтың 
тасымалдаушыларының 
қозғалғыштығы 
температура 
жоғарлаған сайын, мына теңдікпен жартылай өткізгіштің электр өткізгіштігіде 
жоғарылайды.
Заряд 
тасымалдағыштарының 
қозғалмалылығы 
температураның 
артуымен төмендегі формулаға сәйкес ұлғаяды
u ~ Т
3/2 
,
(8.8) 
осымен бірге жартылай өткізгіштердің электрөткізгіштігі де артады.
а) б) в) 
а) Т температурадан (қоспаның шоғырлануы n
2
>n
1
); әр түрлі температурадағы 
(Т
2
>Т
1
) Е электр өрісі кернеуінің; L жарықтануға тәуелділігі.
8.4 сурет – Жартылай өткізгіштің меншікті өткізгіштігі 
8.5 Қарапайым жартылай өткізгіштер 
Жартылай өткізгішті аспаптардың өндірісінде кең қолданыс тапқан ең 
алғашқы жартылай өткізгіш – германий (Gе). Оны түзеткіш және импульсті 
диодтарды, транзисторларды, фотодиодтарды, фоторезисторларды, тиристор-
ларды, тензометрлерді және т. б. жасау үшін қолданады. Кремний (Si) – бұл 
Менделеев кестесіндегі IV топ элементі. Технологиялық қатынаста кремний 
германийға (Gе) қарағанда күрделі, оның балқу температурасы 1420
0
С және 
балқытылған күйінде айтарлықтай активті. Кремнийді әр түрлі диодтар, тран-
зисторлар, тиристорлар, стабилитрондар, фотодиодтар, Холлдың датчиктері, 
тензометрлер, интегралды сұлбалар және т. б. жартылай өткізгішті аспаптар 
үшін қолданады. Жай элементтерден жартылай өткізгішті аспаптарды жасау 
үшін IV топ элементтері (Se) және (Те) қолданады.
 
8.6 Күрделі жартылай өткізгіштер 
 
Кремний карбиді SiC - бұл SiC
х
(х=1) формуласына сәйкес келетін IV 
топ элементтері кремний мен көмертектің қосындысы. Оның 70% Si, 30% C 

38 
(салмағы бойынша) SiС доғалы электропечтерде кварцты құм SiO
2
коксты 
біріктіру арқылы өндіреді. SiС-тің таза кристалдары түссіз, ал Si мен С 
қоспалары мен басымдылықтары әр түрлі түстерге бояйды. SiC 
кристалдарының қоспаларының электрөткізгіштігі (

) - 20
0
С - та үлкен 
аумақта тербеледі. 
Варисторлардағы SiC түйіршіктері байланыстырғыш заттармен 
бекітіледі. Байланыстырғыш ретінде сазды, ультрафарфорды, сұйық шыныны 
және т.б. қолданады. SiC түйіршіктерінен тұратын резистордың эквивалентті 
схемасы жалпы түрде 8.1. суретте көрсетілген. 
8.5 cурет - SiC-а порошок дәндерінен тұратын резистордың эквиваленттік 
сұлбасы; U
1
2
3
4
5
-б жеке контактілердің иілу кернулерінің ВАС және 
в- айнымалы токтағы шешуші ВАС 
Берілген кернеуді үлкейткен сайын электроөткізгіштік (

) тез өседі, 
осыған сәйкес жіңішеке резистордың сызықсыз ВАС-ы варитор деген ат 
алған. электроникада SiC: ЛЭП-ті кернеу өзгеріснен құтқаратын вентильді 
разрядтар үшін; жоғары температуралы электропештердің қыздырғыштар 
үшін; игниттронды жандырғыштар үшін және т.б. 

жүктеу 1,14 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: