Физикадан ґздік жўмыстарды ўйымдастырудыѕ ерекшеліктері

жүктеу 1,43 Mb.

бет	10/10
Дата	13.11.2017
өлшемі	1,43 Mb.
	#140
түрі	Лекция

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Тіркеу формасы

-жылулық ұлғаю коэффициентінің өзгерісі,

–температура өзгерісі. Жоғарыда келтірілген структураларда қалдық деформацияның өзгермейтіндігінің негізі тор периоды сәйкессіздігі болып табылатындығы көрсетілген. Мұндай қорытынды эпитаксиалдық қабаттағы дислокация тығыздығы бөліну шекарасыда тор периоды сәйкессіздігі Δа -0,3- ден 0,7%- ға дейін өзгергенде, Δа = 0 болғанда минималы болатындығымен сәйкес келеді. Эпитаксиалдық қабаттың кристаллографиялық жетілгендігі (Δа = 0 болғанда) үлгінің люминесценттік сипаттамаларын өлшеулермен де дәлелденген. Мысалы тор периоды сәйкессіздігі Δа = 0 болатын өткізгіштігі n – типті үлгілерде эпитаксиалдық қабат фотолюминесценциясы интегралдық интенсивтілігі

% үлгінікіне қарағанда 8 есе үлкен болған. Сонымен қатар, Δа артқанда

1-сурет. Виккерс бойынша микроқаттылықтың структура құрамынан тәуелдігі

1. у = 0

2. у = 0,1

фотолюминеценция спектрі максимумы үлкен энергия аймағына ығысатындығы анықталды, және де ығысу шамасы 45-50 мэВ, тек қана серпімді деформация себебімен болатын ығысу шамасынан (ΔЕ =0,035 эВ) біршама артық болады. Бұл In Ga AsSb қатаң ертіндісінде дислокация тығыздығы артқанда компенсациялану дәрежесі артуына байланысты болуы мүмкін.
In Ga As Sb қатаң ерітіндісінің ерекшелігі, 1-суретте келтірілген эпитаксиалдық қабаттың микроқаттылығын өлшеулерден көрініп тұрғандай, In As –пен салыстырғанда беріктілігінің жоғарылығында. Сол себепті градиентті эпитаксиалдық қабат пен In As –тің сәйкесті қалыңдықтарында қалыңырақ пластикалық негізінде тор периоды сәйкессіздігі дислокациялары түзілу ықтималдығы артады, және де сәйкессіздік дислокациясы негіздің қалыңдығы бойымен түзіледі де структура қисаяды. Пластикалық деформация шамасы негіздің бастапқы қалыңдығының функциясы болады (2 - сурет).

2-сурет. Дислокация тығыздығының негіз қалыңдығынан тәуелділігі

1. эпитациалдық қабат

2. In As (негіз)

Градиенттік эпитаксиалдық қабатта дислокация тығыздығының өзгеруі негіз қалыңдығының сәйкессіздік дислокациясы пайда болуының шектік (критикалық) қалыңдығына әсерімен және дислокация тығыздығы N = (grad

)/ а (мұндағы R-үлгінің қисықтық радиусы) [2] өрнегімен анықталатын градиенттік кристалл торының моделіне сәйкес эпитаксиалдық қабат пен In As арасында дислокацияның қайта таралуымен түсіндіріледі.

Әдебиеттер:

Егембердиева С.Ш., Көшкімбаева Б.Ж. «Наука и образование Южного Казахстана»

Республиканский научный Журнал, 2000, №22,

Б.А.Матвеев, Н.М.Стусь Кристоллография, т.32, 1988

Тіркеу формасы
1. Тегі, аты-жөні (толығымен) Ирсаева Айбарша

2. Ғылыми дәрежесі, ғылыми атағы (бар болса)

3 Ғылыми жетекшінің аты-жөні Егембердиева София Шаймерденқызы,

Көшкімбаева Бибара Жайлаубайқызы

4. Ғылыми жетекшінің ғылыми дәрежесі ф.м. ғ.к., доцент

5. Ұйым (жоғары оқу орнының, кәсіби орта оқу мекемесінің, мектептің аты, мекен-жайы)

Тараз мемлекеттік педагогикалық институты

6. Автордың мекен-жайы (индекс көрсету міндетті) Жамбыл даңғылы 16А

7. Телефон (Халықаралық кодымен)

8. E-mail (міндетті) ____________________________________________________________

9. Мақала тақырыбы InGaAsSb/ In As эпитаксиалдық структураларында

ақаулар түзілуі

10. Секция Жаратылыстану ғылымдары, Секция 1. Математика, физика, информатика.

11. Керекті техникалық құралдар Интерактивті тақта

12. Қонақ үй орындарын брондау қажеттігі (иә, жоқ) _______________________________

жүктеу 1,43 Mb.

Достарыңызбен бөлісу:

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10