Физика әлемі пӘндік энциклопЕдИя



жүктеу 6,54 Mb.
Pdf просмотр
бет131/265
Дата25.05.2018
өлшемі6,54 Mb.
#17438
1   ...   127   128   129   130   131   132   133   134   ...   265

Ж

104

ЖАЗЫҚТЫҚ – ЖЫЛУ ТАСЫҒЫШ



326

327


Жартылайөткізгіштердің металл өткізгіштерден 

айырмашылығы  температура  артқанда  олардың 

электрөткізгіштігі және ол шама экспоненциалды 

түрде артады: σ = σ

0

ехр(-


А

/kT). (1). Мұндағы 

А

 – өткізгіштіктің активтену энергиясы, σ



0

 – коэф-


фициент (экспоненциалды өспейтін температураға 

тәуелді).  (1)  формула  жартылайөткізгіштердің 

электрондары  атомдармен,  байланыс  энерги-

ясымен 


А

  біркелкі  байланысқанын  білдіреді. 

Температураның артуына байланысты жылулық 

қозғалыс  электрондардың  және  олардың 

бөліктерінің байланысын үзе бастайды пропор-

ционал ехр(-

А

/kT) зарядтың еркін тасушылары 



болады.

Электрондардың  байланысын  тек  жылулық 

қозғалыс қана емес, әртүрлі сыртқы әсерлер де: 

жарық, тез қозғалушы бөлшектер ағыны, күшті 

электрлік өрістер де үзе алады. Сол себепті жартылайөткізгіштер үшін олардың 

электрөткізгіштігі сыртқы әсерлерге, сонымен қатар 



қоспалардың қосылуына 

да, кристалдардағы ақауларға да өте сезімтал болады. Жартылайөткізгіштердің 

өткізгіштігін  температураны  арттыруымен  және  қоспалар  үстемелеу  арқылы 

өзгерту мүмкіндігі бар. 

(1)  формула  электрөткізгіштігі  жоғары  температурада  елеулі  болатын диэ-

лектриктерге  қатысты  болады.  Жартылайөткізгіштер  мен  диэлектриктердің 

айырмашылығы сапалы тұрғыға қарағанда сандық тұрғыда ғана болады. Дәлірек 

айтатын  болсақ,  жартылайөткізгіштерді  ерекше  топтамай-ақ,  металл  емес 

заттардың жартылайөткізгіштік күйі жайлы сөз етуге болады. 

«Жартылайөткізгіштер» деген 

ғылыми атауды қасиеттері бөлме 

температурасында (300 К) ерекше 

болатын жартылайөткізгіштерге, 

мысалы,  Ge  және  Si  (германий 

мен кремний) элементтері жата-

ды. Бұл элементтердің атомдары 

4 валентті электрондардан алмас 

типті 

ковалентті  байланысты 

Валенттік  зона  (ақ  дөңгелектер  – 

кемтіктер) және өткізгіштік зона 

(қара  дөңгелектер  –  өткізгіштік 

электрондар); 





 

тыйым салынған 

зонаның  ені; 

с

  –  өткізгіштік 

зонаның  асты; 





 

валенттік 

зонаның төбесі

Әдетте негізгі материалға әдейі ендірілген электрон-

дар меншікті тасушылардан [кемтіктерден (А) және 

электрондардан (Б)] едәуір артық болады.



Ж

104

ЖАЗЫҚТЫҚ – ЖЫЛУ ТАСЫҒЫШ



328

329


кристалдық торлар құраған. Алмас та жартылайөткізгіштік қасиетке ие, бірақ та 

оның 


А

 шамасы Ge мен Si-ге қарағанда едәуір үлкен, сол себепті оның өткізгіштігі 

аз.

Қатты  денелерде  атомдар  немесе  иондар  бір-біріне  атом  радиусындай 



қашықтықта жақын орналасқандықтан, оларда бір атомның валенттік электрон-

дары екінші атомға үздіксіз ауысатын болады. Егер атомдардың электрондық 

қабықшалары бір-бірін күшті бүркеп жабатын болса және электрондар атомдар 

арасында тез ауысатын болса, электрондардың осындай ауысулары 



коваленттік 

байланыстың пайда болуына әкеп соқтырады.

Осы  жайт  толықтай  Ge  және  Si  үшін  ортақ.  Германийдің  барлық  атом-

дары  бейтарап  және  бір-

бірімен  коваленттік  байланыс- 

та  болады.  Бірақ  та  атомдар 

арасындағы электрондар алма-

су  тікелей  электрөткізгіштікке 

әкеп  соқтырмайды,  себебі 

электрондық  тығыздықтың 

бүтіндей үлестірілуі қатаң түрде 

орныққан:  жақын  көршілес 

орналасқан  атомдар  жұбының 

арасындағы байланысқа 2 элек-

троннан  бөлінген.  Өткізгіштік 

тудыру үшін ең болмағанда бір 

байланысты үзу қажет, ол үшін одан бір электронды ажыратып алып кристалдың 

басқа бір барлық байланысы толтырылған ұяға ауыстыру керек, осы электрон –  

а р т ы қ  э л е к т р о н болады. Осындай электрон бұдан былай еркін түрде 

бір ұядан екінші ұяға ауысатын болады (бұл ұялардың барлығы әлгілер үшін 

эквивалентті болады), және де барлық жерде артық болып өзімен бірге а р т ы қ  

т е р і с  з а р я д т ы тасымалдайды, яғни ө т к і з г і ш т і к  э л е к т р о н болады. 

Үзілген байланыс кристалл бойынша а д а с қ а н к е м т і к болып шығады, күшті 

алмасу жағдайында көрші байланыстың электроны ажырап кеткен электронның 

орнына тез орналасатын болады. Бір байланыста электронның жетіспеуі атомда  

а р т ы қ (немесе атомдар жұбында) о ң  б і р л і к  з а р я д т ы ң болуын білдіреді, 

осы заряд кемтікпен бірге тасымалданады. Э л е к т р о н д а р  және  к е м т і к- 

т е р – жартылай өткізгіштердегі е р к і н з  а р я д  т а с у ш ы л а р болып табыла- 

ды. Иондық байланыс үзілген жағдайда электрондық қабықшаны толтыруы кем 



n-типті  жартылай  өткізгіште  (А)  электрондар 

ток  көзінің  оң  полюсіне  тартылады.  Электрон 

үлгінің  теріс  полюсінен  шығып  үлгінің  оң  полюсіне 

ағатындықтан  біршама  оң  зарядты  сақтайды. 

р-типті (Б) жартылайөткізгіште әлгіге ұқсас жайт 

байқалады, бірақ та мұнда оң кемтік ток көзінің теріс 

полюсіне тартылады. 


жүктеу 6,54 Mb.

Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   127   128   129   130   131   132   133   134   ...   265




©g.engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет
рсетілетін қызмет
халықаралық қаржы
Астана халықаралық
қызмет регламенті
бекіту туралы
туралы ережені
орталығы туралы
субсидиялау мемлекеттік
кеңес туралы
ніндегі кеңес
орталығын басқару
қаржы орталығын
қаржы орталығы
құрамын бекіту
неркәсіптік кешен
міндетті құпия
болуына ерікті
тексерілу мемлекеттік
медициналық тексерілу
құпия медициналық
ерікті анонимді
Бастауыш тәлім
қатысуға жолдамалар
қызметшілері арасындағы
академиялық демалыс
алушыларға академиялық
білім алушыларға
ұйымдарында білім
туралы хабарландыру
конкурс туралы
мемлекеттік қызметшілері
мемлекеттік әкімшілік
органдардың мемлекеттік
мемлекеттік органдардың
барлық мемлекеттік
арналған барлық
орналасуға арналған
лауазымына орналасуға
әкімшілік лауазымына
инфекцияның болуына
жәрдемдесудің белсенді
шараларына қатысуға
саласындағы дайындаушы
ленген қосылған
шегінде бюджетке
салығы шегінде
есептелген қосылған
ұйымдарға есептелген
дайындаушы ұйымдарға
кешен саласындағы
сомасын субсидиялау