Электроника. Микроэлектроника «Электроника»

жүктеу 9,61 Mb.

бет	24/82
Дата	21.05.2018
өлшемі	9,61 Mb.
	#15437

1 ... 20 21 22 23 24 25 26 27 ... 82

4.21 С уретте көрсетілген жартылай өткізгіш құралының алмастыру сұлбасын көрсетіңіз
4.22 С уретте көрсетілген жартылай өткізгіш құралының алмастыру сұлбасын көрсетіңіз
4.24 Биөрісті транзисторды құру кезінде өткізгіш қабатының орындалуы
4.25 Биөрісті транзисторға қайнар көзді қосу сұлбасындағы қайнар көзінің Е
4.26 Биөрісті транзистордың белсенді жұмыс режимі – бұл режим, ауысулары
4.27 Суретте көрсетілген сұлбадағы биөрісті транзисторды n - p - n
4.28 Биөрісті транзистордың базасы жоғарғыомды болып өндіріледі, бұл қабаттың келесідей болуымен қол жеткізіледі
4.29 Белсенді режимде жұмыс істейтін транзистор тоғы өзара мынадай қатынаста болады

4.19 p-n-p түрдегі транзистор үшін электродтардың дұрыс орналасқанын көрсетіңіз:

А) Б-Э-К.

В) Э-К-Б.

С) Э-Б-К.

D) Б-К-Э.

Е) К-Э-Б.

4.20 p-n-p түрдегі транзистор үшін электродтардың дұрыс орналасқанын көрсетіңіз:

А) Э-К-Б.

В) Э-Б-К.

С) Б-Э-К.

D) Б-К-Э.

Е) К-Э-Б.

4.21 Суретте көрсетілген жартылай өткізгіш құралының алмастыру сұлбасын көрсетіңіз:

А) Диак.

В) Транзистор n-p-n түрдегі.

С) Транзистор p-n-p түрдегі.

D) Диодтар.

Е) Динистор.

4.22 Суретте көрсетілген жартылай өткізгіш құралының алмастыру сұлбасын көрсетіңіз:

А) Диоды.

В) Транзистор n-p-n типа.

С) Транзистор p-n-p типа.

D) Диак.

Е) Динистор.

4.23 К-Э ауысу биөрісті транзисторларда бола ма?

А) Б-К ауысуы болмағанда болады.

В) Болады.

С) Болуы тиісті.

D) Э-Б ауысуы боламағанда болады.

Е) Болмайды.

4.24 Биөрісті транзисторды құру кезінде өткізгіш қабатының орындалуы:

А) Э және К – жоғарғыомды, Б – төмеңгіомды.

В) Э және Б – төмеңгіомды, К – жоғарғыомды.

С) Б және К – төмеңгіомды, Э – жоғарғыомды.

D) Э және К – төмеңгіомды, Б – жоғарғыомды

Е) Барлық қабаттары бірдей өткізгішті.

4.25 Биөрісті транзисторға қайнар көзді қосу сұлбасындағы қайнар көзінің Е₂өрістігін көрсетіңіз:

А) (–) К-ге , (+) Э-ге.

В) (+) К-ге, (–) Э-ге.

С) (+) К-ге, (–) Э-ге, егер S кілті ажыратылған болғанда.

D) (–) К-ге, (+) Э-ге, егер S кілті ашық болғанда.

Е) (–) К-ге, (+) Э-ге, егер S кілті бекітілген болғанда.

4.26 Биөрісті транзистордың белсенді жұмыс режимі – бұл режим, ауысулары

А) Э-Б жабық, ал Б-К ашық.

В) Екі ауысуы ашық

С) Екі ауысуы жабық.

D) Э-Б жабық, ал Б-К ашық.

Е) Э-Б ашық, ал Б-К жабық.

4.27 Суретте көрсетілген сұлбадағы биөрісті транзисторды n-p-n түріне қосу кезіндегі транзистордың коллекторлы және эмиттерлі ауысу қандай бағытта ығыстырылған:

А) Э-Б және Б-К – тура.

В) Б-К – тура, Э-Б – кері.

С) Э-Б – тура, Б-К – кері.

D) Э-Б және Б-К – кері.

Е) Э-Б – тура, Б-К – кері.

4.28 Биөрісті транзистордың базасы жоғарғыомды болып өндіріледі, бұл қабаттың келесідей болуымен қол жеткізіледі:

А) Әлсін легирленген және жіңішке

В) Әлсін легирленген және жуан.

С) Қатты легирленген және жіңішке.

D) Қатты легирленген және жуан.

Е) Қоспасыз және жіңішке.

4.29 Белсенді режимде жұмыс істейтін транзистор тоғы өзара мынадай қатынаста болады:

А)

.

В)

.

С)

.

D)

.

Е) .

жүктеу 9,61 Mb.

Достарыңызбен бөлісу:

1 ... 20 21 22 23 24 25 26 27 ... 82