Электроника. Микроэлектроника «Электроника»

Жартылай өткізгіш құралдары класиффикациясы бойынша Холл сезбектері қандай құралдар тобына жатады?

жүктеу 9,61 Mb.

бет	23/82
Дата	21.05.2018
өлшемі	9,61 Mb.
	#15437

1 ... 19 20 21 22 23 24 25 26 ... 82

3.60 Жартылай өткізгіш құралдары класиффикациясы бойынша Холл сезбектері қандай құралдар тобына жатады?

А) Бір p-n ауысулы.

В) Екі p-n ауысулы.

С) Үш p-n ауысулы.

D) Ауысусыз

Е) Гибридты ИМС.

3.61 Қуаттылығы бойынша диод класиффикациясына тиісті қуаттығы аз диодтарға келесіге I_пртоғы тең болып келетін диодтар жатады:

А) < 0,3 А.

В) > 0,3 А.

С) 0,3  10 А.

D) < 10 А.

Е) 10  100 А.

3.62 Қуаттылығы бойынша диод класиффикациясына тиісті қуаттығы орташа диодтарға келесіге I_пртоғы тең болып келетін диодтар жатады:

А) < 0,3 А.

В) > 0,3 А.

С) 0,3  10 А.

D) 10  100 А.

Е) < 10 А.

3.63 Қуаттылығы бойынша диод класиффикациясына тиісті қуаттығы үлкен диодтарға келесіге I_пртоғы тең болып келетін диодтар жатады:

А) < 0,3 А.

В) > 0,3 А.

С) 0,3  10 А.

D) < 10 А.

Е) 10  100 А.

4 Биөрісті транзисторлар
Бөлімге «Биөрісті транзисторлар» тарауының дәріс матриалдары: биөрісті транзисторлар класиффикациясы мен түсініктері, электрлік жүйедегі биөрісті транзисторлардың шартты белгіленуі, транзисторлардың вольт-амперлік сипаттамасы (ВАС), транзисторлар түрі, жұмыс принциптері мен қарапайым транзистор ұяшықтарының сұлбасы бойынша тест сұрақтары енгізілген.
4.1 Транзисторлар арналған:

А) Тоқты басқару мен сигналдарды күшейту.

В) Тоқты басқару.

С) Сигналдардың күшеюі.

D) Сигналдарды басқару мен күшейту

Е) Тоқ және сигналдардың күшейту.

4.2 Тоқты басқару мен сигналдарды күшейту үшін арналған жартылай өткізгіш құралы:

А) Диод.

В) Тиристор.

С) Симистор.

D) Транзистор.

Е) Стабилитрон.

4.3 Транзисторларды жасау технологиясы бойынша келесіге бөлінеді:

А) Униөрісті және МДП (МОП)-түрі.

В) Биөрісті және МДП (МОП)-түрі.

С) Корпусты және корпуссыз.

D) МДП және МОП-түрі.

Е) Биөрісті және Диөрісті.

4.4 Биөрісті транзисторда өткізгіш қабатының саны тең:

А) Екіге

В) Екі немесе үшке.

С) Үшке.

D) Үш және одан көпке.

Е) Екі және одан көпке.

4.5 Биөрісті транзисторда p-n ауысу саны тең:

А) Екіге

В) Үшке.

С) Үш және одан көпке.

D) Екі және одан көпке.

Е) Екі және одан көпке.

4.6 Биөрісті транзистор – бұл жартылай өткізгіш кристаллы, оның құрамы:

А) Екі шығыспен қамтылған және кезектескен өткізгіштігі бар екі қабаттан.

В) Үш шығыспен қамтылған және бірізді өткізгіштігі бар екі қабаттан.

С) Екі шығысы бар және паралельді өткізгіштігі бар үш қабаттан.

D) Екі шығысы бар және кезектескен өткізгіштігі бар үш қабаттан.

Е) Үш шығысы бар және кезектескен өткізгіштігі бар үш қабаттан.

4.7 Үш шығысы бар және кезектескен өткізгіштігі бар үш қабаттан тұратын жартылай өткізгіш құралы – бұл:

А) Диод.

В) Стабилитрон.

С) Динистор.

D) Биөрісті транзистор.

Е) Өрісті транзистор.

4.8 ОЭ биөрісті транзистордың дұрыс шартты белгіленуін көрсетіңіз:

А)	В)		С)
D)		Е)

4.9 Көрсетілген шартты белгілену тиесілі:

А) Өрісті транзистордың барлық түріне.

В) Биөрісті транзисторға.

С) p-n түрдегі өрісті транзисторға.

D) МОП түрдегі өрісті транзисторға.

Е) МДП түрдегі өрісті транзисторға.

4.10 Биөрісті транзисторда өткізгіш қабаты мен олардың түрлерінің аталауы:

А) Анод, База, Катод.

В) Қайнар көз, Тиек, Сток.

С) Эмиттер, База, Коллектор.

D) Эмиттер, Тиек, Коллектор.

Е) Эмиттер, Канал, Коллектор.

4.11 Биөріс транзисторының өткізгіш қабатын дұрыс кезекте көрсетіңіз:

А) Эмиттер, Коллектор, База.

В) Коллектор, База, Эмиттер.

С) База, Эмиттер, Коллектор.

D) База, Коллектор, Эмиттер.

Е) Эмиттер, База, Коллектор.

4.12 Биөрісті транзистордағы соңғы шығысының аталуы:

А) Коллектор және База.

В) Эмиттер және Коллектор.

С) База және Эмиттер.

D) Анод және Катод.

Е) Анод және База.

4.13 Биөрісті транзисторының электродының дұрыс орналасқандарын көрсетіңіз?

А)	В)		С)
D)		Е)

4.14 Биөрісті транзистордың құрылысы қандай?

А) База эмиттерлі және коллекторлы p-n ауысудан диэлектрлі төселуімен айырылады.

В) Ішкі тізбек көмегімен кезектесе біріктіріле алатын екі диодтан тұрады.

С) Ішкі тізбек көмегімен параллельді біріктіріле алатын екі диодтан тұрады.

D) База облысымен бөлінген эмиттерден және коллектордан тұрады.

Е) Диэлектрлі төселуімен айырылатын екі диодтан тұрады.

4.15 Шартты белгіленуі бойынша транзистор түрін көрсетіңіз:

А) n-n-p.

В) p-n-p.

С) n-p-n.

D) p-p-n.

Е) p-n-n.

4.16 Шартты белгілену бойынша транзистор түрін көрсетіңіз:

А) n-p-n.

В) p-n-p.

С) n-n-p.

D) p-p-n.

Е) p-n-n.

4.17 Шартты белгіленуі бойынша транзистор түрін көрсетіңіз:

А) p-n-n.

В) n-p-n.

С) n-n-p.

D) p-p-n.

Е) p-n-p.

4.18 Шартты белгілену бойынша транзистор түрін көрсетіңіз:

А) n-p-n.

В) p-n-p.

С) n-n-p.

D) p-p-n.

Е) p-n-n.

жүктеу 9,61 Mb.

Достарыңызбен бөлісу:

1 ... 19 20 21 22 23 24 25 26 ... 82