№ 6 жұмыс АсқарАружан 1917
жүктеу 115,86 Kb.
|
- Навигация по данной странице:
- Нұр-сұлтан 2021 № 6 жұмыс. Биполярлық транзистордың статикалық вольт-амперлік сипаттамаларын зерттеу
- Бақылау сұрақтары.
|
Сәкен Сейфуллин атындағы Қазақ Агро-Техникалық университеті №6 жұмыс Орындаған: Асқар Аружан АУ1917 Тексерген: Нәкенова Саида Нұр-сұлтан 2021 № 6 жұмыс. Биполярлық транзистордың статикалық вольт-амперлік сипаттамаларын зерттеу Жұмыс мақсаты. Транзистордың статикалық кіріс және шығыс сипаттамаларын зерттеу және олардан сипаттамалық h-параметрлерін анықтау. Бақылау сұрақтары. Транзисторлардың түрін атаңыз. 1. Өрістік (арналық) транзистор – жұмыстық токтың өзгеруі кіріс сигналы тудыратын, оған перпендикуляр бағытталған электр өрісі әрекетінен болатын транзистор. Өрістік транзисторларда кристалл арқылы өтетін токты тек бір таңбалы заряд тасушы – электрон немесе кемтік тудырады. Заряд тасушыларды басқаруға негізделетін физикалық эффектілерге қарай өрістік транзисторлар шартты түрде 2 топқа: #басқаратын р-п электрон-кемтіктік ауысуы бар немесе металл-шалаөткізгіш түйіспелі 2. оқшауланған жапқылы металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) транзисторлар деп бөлінеді. Транзисторды тізбекке қосудың үш тізбегін салыңыз. Биполярлы транзистор (Биполярный транзистор) — үш рет кезектесіп орналастырылған электрондық (п) немесе кемтіктік (р) типті откізгішті шалаөткізгіш облыстары, екі р-п өткелі бар, яғни п-р-п не р-п-р құрылымды, көбіне үш электроды (шықпаса) болатын, электр сигналдарын күшейтуге, түрлендіруге арналған шалаөткізгіш аспап. Биполярлық транзистор – қуатты күшейтуге арналған электрөткізгіштік түрлері алмасатын үш саладан құрылған электр түрлендіргіш аспап. Б.Т-да тоқ екі түрлі заряд тасушы-ң (электро-р ж/е кемтік-ң) қозғалысымен белгіленеді.Б.Т-да үш қабатты жартылай өткізгішті құрылымының көмегімен әр түрлі электр өткізгіштері бар жартылай өткізгіш-н екі р-п өткелдер құрылады. Екі үш қабатты құрылым болуы мүмкін: кемтікті-электронды-кемтікті ж/е электронды-кемтікті-электронды. Транзистордың эмитері, коллекторы және базалық токтары арасындағы байланысты орнатыңыз. Әр түрлі электр өткізгіштері бар участіктері алмасуға сәйкесті барлық Б.Т. екі түрге бөлінеді: p-n-p (а сурет) ж/е n-p-n(б сурет) Әр аймақтан тоқ жүретін шықпалар (электродтар) шығарылып, олар эмиттер(Э), коллетор(К) және база(Б)деп аталады.Латын тілінен аударганда emitto- эмиттер- «шығарушы»,ол тарнзситорды заряд тасымалдаушылармен қамтамасыз ететін электрод бол.таб. collector- колектор «жинақтаушы»эмиттердан шыққан заряд тасушыларды қабылдайды.ал заряд тасушылардын эмттердан коллеторға қарай қозғалысын реттейтін –база.Ол ТР-ң реттеуші, басқарушы элетроды болып саналады. n-p-n және p-n-n-p тр-ның жұмыс істеу принциптері бірдей, айырмашылық тоқ түзетін заряд тасушыларында. Біріншісінде электрондар, екіншісінде кемтіктер. Б.Т. – әр жақты тағайындауы бар жартылай өткізгіштік күшейткіш аспатар, ал сол себептен әртүрлі күшейткіштерде, генераторларда, логикалы ж/е серпінді құрылғыларда кең қолданылады. Транзистордың тәуелсіз айнымалыларының арасындағы байланысты h-параметрлері арқылы төрт полюс түрінде жазыңыз. Транзисторларда бір-бірімен байланысты төрт шама бар. Олар: кіріс және шығыс тогы, сонымен қатар кіріс және шығыс кернеуі: Uкір = U1, Iкір = I1, Uшығ = U2, Iшығ = I2. Осы келтірілген параметрлерден басқа, транзисторларда басқа да параметрлер жүйесі қолданылады, ол жүйені транзистордың һ параметрі деп те атайды. Транзистордың h-параметрін анықтау. Транзисторлар сұлбаларын есептегенде және анализдегенде транзистордың эквивалентті схемасын және оған арналған параметрлер жүйесіне сүйенеміз. Транзисторлардың физикалық параметрлер жүесінің кемшілігі, олардың ішінен барлығы да өлшене бермейді.h-параметрлер жүйесінде транзисторлардың параметрлері активті сызықты 4-ұштықты параметрлермен анықталады. h-параметрлер жүйесінде тәуелді емес айнымалы бойынша кіріс токты қабылдайды(I1) және шығыс кернеу(U2). Осыдан , U1 = h11 I1 + h12 U2, I2 = h21 I1 + h22 U2 біз төрт параметрді анықтаймыз ,ол қысқаша тұйықталу режимінде (U2=0) және бос жүріс режимінде болады (I1=0). h11- кіріс сипаттамасы, h12-кері байланыс коэффициентті, h21- токты беру коэффициентті, h22- шығыс өткізгіштік. Һ параметрінің бұл түрлерінің әр қайсысына жеклей тоқталсақ: Кіріс сипаттамасы: h11 = DU1/DI1 U2 = const болғанда. айнымалы кіріс тогына шығысында қысқа тұйықталу болатын, яғни шығысында айнымалы кернеу болмайтын транзистордың кедергісі болып табылады. Кернеу бойынша кері байланыс коэффициенті: h12 = DU1/DU2 I1 = const болғанда. кірістегі айнымалы кернеудің кандай мөлшері кері байланыс салдарынан транзистордың кірісіне берілетінін көрсетеді. Токтың күшейту коэффициенті (токты беру коэффициенті): h21 = DI2/DI1 U2 = const болғанда. жүктемесіз жұмыс істеу кезінде транзистордың айнымалы тогының күшейтуін көрсетеді. Шығыс өткізгіштік: h22 = DI2/DU2 I1 = const болғанда. бұл, транзистордың шығыс қысқыштарының арасындағы айнымалы токтың өткізгіштігін сипаттайды. Бұл параметрлердің ортақ эмиттер арқылы қосылу сұлбасында келесі теңдіктерді аламыз: мұндағы һ11Э = DUБЭ/DІБ UКЭ = const; h12Э = DUБЭ/DUКЭ ІБ = const; h21Э = DIК/DIБ UКЭ = const; h22 = DIК/DUК ІБ = const. жүктеу 115,86 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|