Выращивание кристаллов методом Чохральского

РАСЧЕТ ГЛОБАЛЬНОГО ТЕПЛООБМЕНА В УСТРОЙСТВЕ

жүктеу 202 Kb. бет 6/6 Дата 04.01.2022 өлшемі 202 Kb. #31643

Навигация по данной странице:

• Анализ распределения тепловых потоков от нагревателя, оптимизация геометрии горячей зоны; Расчет сдвиговых напряжений в монокристалле;
• Расчет точечных и линейных дефектов, возникающих при охлаждении кристалла. Учитываются следующие основные процессы
• Турбулентные и ламинарные течения расплава, газа в ростовой камере, флюса над расплавом; Формирование элементарных дефектов и их последующая кластеризация.
• ТРЕХМЕРНЫЕ НЕСТАЦИОНАРНЫЕ РАСЧЕТЫ ТУРБУЛЕНТНОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА
• Точный расчет геометрии фронта кристаллизации и ее изменения во времени ( это связано с расчетами дефектов в кристалле )

РАСЧЕТ ГЛОБАЛЬНОГО ТЕПЛООБМЕНА В УСТРОЙСТВЕ Расчет температуры и тепловых градиентов во всех элементах конструкции, включая расплав и выращиваемый кристалл; Анализ распределения тепловых потоков от нагревателя, оптимизация геометрии горячей зоны; Расчет сдвиговых напряжений в монокристалле; Расчет точечных и линейных дефектов, возникающих при охлаждении кристалла. Учитываются следующие основные процессы: Теплообмен теплопроводностью и излучением; Резистивный и высокочастотный нагрев; Турбулентные и ламинарные течения расплава, газа в ростовой камере, флюса над расплавом; Формирование элементарных дефектов и их последующая кластеризация. ТРЕХМЕРНЫЕ НЕСТАЦИОНАРНЫЕ РАСЧЕТЫ ТУРБУЛЕНТНОЙ КОНВЕКЦИИ РАСПЛАВА Получение данных о структуре и характеристиках течения расплава (что очень трудно изучить экспериментально ): перестройка течения во времени, тепловые пульсации, флуктуации поля скорости; Расчет транспорта примесей в расплаве и их встраивание в выращиваемый кристалл ( контроль качества полупроводникового материала ) Точный расчет геометрии фронта кристаллизации и ее изменения во времени ( это связано с расчетами дефектов в кристалле ) жүктеу 202 Kb. Достарыңызбен бөлісу:

©g.engime.org 2025
әкімшілігінің қараңыз