Пму ұс н 18. 2/05 Қазақстан Республикасының Білім және ғылым министрлігі



жүктеу 2,97 Mb.
бет6/12
Дата14.05.2018
өлшемі2,97 Mb.
#13565
түріНұсқаулар
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   12

Назар аударыңыздар! Құрал-жабдықта адам өміріне қауіпті айнымалы кернеу (220 В) пайдаланылады. Қондырғы іске қосылып тұрған кезде ток өткізгіш бөліктерді ұстамаңыз. Электр схемасындағы қосылуларды кернеу бар кезде жүргізбеңіз!

Бақылау сұрақтары


  1. Лоренц күшін векторлық және скалярлық түрде жазыңыз.

  2. 3 электродты электрондық шам қалай жұмыс істейтіндігін түсіндіріп беріңіз.

  3. Неліктен шамды соленоидтың ішіне орналастырады?

  4. Аумалы соленоидтың физикалық мағынасы.

  5. Жұмыс қалай орындалатынын айтып беріңіз.

  6. Жұмыс формуласын қорытып шығарыңыз.

  7. Аумалы ток өтімділігінің физикалық мағынасы.

3 Зертханалық жұмыс



«p-n ауысуды зерттеу»

Жұмыстың мақсаты:

1. p-n ауысудың қасиеттерін зерттеу;

2. Токтың кері және тура өту бағытына сәйкес ВАС алу;

3. p-n ауысудың ВФС алу;

4. Зерттелетін p-n ауысудың сипаттамаларын салу.
Құрал-жабдықтар: өлшеуіштік қондырғы, зерттеу объектісі.
Теориялық кіріспе

Біреуі электрондық, екіншісі кемтіктік өткізгіштікке ие екі жартылау өткізгіштердің жанасу шекарасы электрондық-кемтіктік ауысу деп аталады (немесе p-n ауысу). Осы ауысулар жартылай өткізгішті аспаптардың жұмысының негізі бола отырып, практикалық қолданысықа ие. p-n-ауысу екі жартылайөткізгіштердің механикалықы қосылысымен жүзеге асыруға болмайды. Әдетте өткізгіштіктері әртүрлі болатын аймақтарды кристаллдарды өсіру кезінде, не кристаллдарды арнайы өңдеу кезінде алынуы мүмкін. Мысалы, n-типті германий кристалына индий «түйірі» салынады. (1а. суреті). Осы жүйе вауумның ішінде, не инертті газдың атмосферасында жуықтап алғанда 500 °С температурада қыздырылады; индий атомдары германийдің ішіне белгілі бір деңгейге дейін енеді. Содан кейін балқыманы жайлап суытады. Индийден тұратын германий кемтіктік өткізгіштікке ие болғандықтан, онда кристалданған балқыма мен n-типті германийдің шекарасында p-n-ауысу пайда болады (1б. суреті).



p-n-ауысу болатын физикалық процестерді қарасытрайық. (2-сурет). Айталық, донорлық жартылай өткізгіш (– шығу жұмысы, –Ферми деңгейі) акцепторлы жартылай өткізгішпен (– шығу жұмысы, –Ферми деңгейі) түйістіріледі (2,б-суреті). n-жартылай өткізгіштегі концентрациясы жоғары болатын электрондар концентрациясы төмен болатындай р-жартылай өткізгішке енетін болады. Кемтіктердің диффузиясы кері бағытта өтетін болады, яғни р n бағытта.

n-жартылай өткізгіште электрондардың кетуіне байланысты шекараның маңатында қозғалмайтын ионизацияланған атомадардың теңгерілмеген оң көлемдік заряды қалып қояды. р-жартылай өткізгіште кемтіктердің кетуіне байланысты шекараның маңатында қозғалмайтын ионизацияланған атомадардың теңгерілмеген теріс көлемдік заряды пайда болады (2,а-суреті).

Осы көлемдік зарядтар шекарада өріс бағыты n-аймақтан р-аймаққа бағытталған қос электрлік қабатты түзеді, осы қабат кейін nр бағытта электрондардың көшіне, ал pn бағытта кемтіктердің көшуіне кедергі болады.

n- және p-типті жартылай өткізгіштердегі донорлар мен акцепторлардың концентарциясы бірдей болады, сондықтан қозғалмайтын зарядтар жинақталатын қабаттардың d1 және d2 қалыңдықтары (2,в-суреті) өзара тең болады (d1=d2).



p-n-ауысудың белгілі бір қалыңдығында екі жартылай өткізгіштерге тән Ферми деңгейлерінің (2,в-суреті). p-n-ауысу аймағында энергетикалық зоналар қисаяды, нәтижесінде электрондар мен кемтіктер үшін потенциалдық тосқауыл пайда болады. Потенциалдық тосқауылдың биіктігі екі жартылай өткізгіштердегі Ферми деңгейлерінің бастапқы айырмасымен анықталады. Акцепторлық жартылай өткізгіштің барлық энергетикалық деңгейлері донорлық жартылай өткізгіштің деңгейіне қатысты биіктігі тең болатын биіктікке көтерілген, сонымен қосы көтерілу екі еселі d қалыңдықпен жүреді.

Рис.3


Жартылай өкізгіштердігі p-n-
Рис.2
ауысу қабатының d қалыңдығы жуықтап 10-6-10-7м құрайды, ал түйісу потенциалдарының айырмасы вольттің ондық үлесін құрайды. Ток тасымлдаушылар осындай потенциладар айырымын бірнеше мыңға жуық температурада ғана өтуі мүмкін, яғни қалыпты температурада тепе-тең түйісу қабаты жапқыш (запирающим) қабат (кедергінің өсуімен сипатталады) болып табылады.

Жапқыш қабаттың кедергісін сыртық электр өрісінің көмегімен өзгертуге болады.

Егер p-n-ауысуға түсірілген сыртқы электр өрісі n-жартылай өткізгіштен p-жартылай өткізгішке қарай бағытталған болса (3,а-суреті), яғни түйісу қабытының өрісімен сәйкес келетін болса, онда ол n-жартылай өткізгіштегі электрондардың, p-жартылай өткізгіштегі кемтіктердің қозғалысы p-n-ауысудың шекарасынан кері жаққа қарай бағытталады. Нәтижесінде жапқыш қабат кеңейіп оның кедергісі өседі. Жапқыш қабатты кеңейтетін сыртқы өрістің бағыты жапқыш (кері) деп аталынады. Осы бағытта p-n-ауысу арқылы электр тогы мүлдем өтпейді. Жапқыш қабаттағы ток жапқы бағтта тек токтың негізгі емес (p-жартылай өткізгіштерде электрондардың, n-жартылай өткізгіштерде кемтіктердің) тасушылары арқылы ғана пайда болады.

Егер p-n-ауысуға түсірілген сыртқы электр өрісі түйісу қабаты өрісіне қарам-қарсы бағытталған болса, онда ол n-жартылай өткізгіштегі электрондардың, p-жартылай өткізгіштегі кемтіктердің p-n-ауысу шекарасына қарай қозғалысы бір-біріне қарама-қарсы бағытта болады. Осы аймақта олар рекомбинацияланады, түйісу қабатының ені мен кедергісі азаяды. Демек, осы бағытта p-n-ауысу арқылы электр тогы p-жартылай өткізгіштен n-жартылай өткізгішке қарай ағады; ол өткізгіштік (тура) деп аталынады.

Сонымен, p-n-ауысу бір жақты (вентильді) өткізгіштікке (металдың жартылай өткізгішпен түйісуіндегі секілді) ие.

4-суретте p-n-ауысудың ВАС көрсетілген. Көрсетілгендей, тура кернеуде сыртқы электр өрісі негізгі ток тасымалдаушылардың p-n-ауысу шеакрасына қарай қозағалсына себепкер болады (3,б-суретті қара). Нәтижесінде түйісу қабатының ені кішірейеді. Осыған сәйкес ауысудың кедергісі де төмендейді (кернеу көп болған сайын, күшті болады), ал ток күші өсе бастайды (4-суреттегі оң жақ тармағы). Токтың осы бағы тура деп аталады.



Жапқыш кернеу кезінде сыртқы электр өрісі негізгі ток тасымалдаушылардың p-n-ауысу шекарасына қарайғы қозғалысына кедергі болады да, концентрациясы жартылай өткізгіштерді соншалықты көп болмайтын негізгі емес ток тасымалдаушылардың қозғалысына себепші болады (3,а-сурет). Бұл негізгі ток тасымалдаушылармен біріктірілген түйісу қабатының енінің өсуіне алып келеді.осыған байланысты ауысудың кедергісі өседі. Сондықтан осы жағдайда p-n-ауысу арқылы негізгі емес ток тасымалдаушылар арқылы (кері деп аталынады) ағатын аз ғана ток өтеді (4-суреттегі сол жақ тармақ). Осы октың жылдам өсуі түйісу қабатының бұзылуына алып келеді. Айнымалы ток тізбегіне қосылған кезде p-n-ауысу түзет ретінде қызмет етеді.

.


жүктеу 2,97 Mb.

Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   12




©g.engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет
рсетілетін қызмет
халықаралық қаржы
Астана халықаралық
қызмет регламенті
бекіту туралы
туралы ережені
орталығы туралы
субсидиялау мемлекеттік
кеңес туралы
ніндегі кеңес
орталығын басқару
қаржы орталығын
қаржы орталығы
құрамын бекіту
неркәсіптік кешен
міндетті құпия
болуына ерікті
тексерілу мемлекеттік
медициналық тексерілу
құпия медициналық
ерікті анонимді
Бастауыш тәлім
қатысуға жолдамалар
қызметшілері арасындағы
академиялық демалыс
алушыларға академиялық
білім алушыларға
ұйымдарында білім
туралы хабарландыру
конкурс туралы
мемлекеттік қызметшілері
мемлекеттік әкімшілік
органдардың мемлекеттік
мемлекеттік органдардың
барлық мемлекеттік
арналған барлық
орналасуға арналған
лауазымына орналасуға
әкімшілік лауазымына
инфекцияның болуына
жәрдемдесудің белсенді
шараларына қатысуға
саласындағы дайындаушы
ленген қосылған
шегінде бюджетке
салығы шегінде
есептелген қосылған
ұйымдарға есептелген
дайындаушы ұйымдарға
кешен саласындағы
сомасын субсидиялау