А
79
∑
АБСОЛЮТ БЕЙТАРАП БӨЛШЕК – АЭРОСТАТИКА
66
67
АЯМР-ды қатты денелердегі сызықтық емес фонон-фонондық өзараәсерлесу-
лерді тіркеу үшін пайдалануға болады.
АКУСТИКАЛЫҚ ПАРАМАГНИТТІК РЕЗОНАНС (АПР),
электрондық
АПР – тұрақты магнит өрісінде орналасқан парамагниттік кристалдардағы белгілі
жиілікті серпімді толқындардың (фонондардың) энергияларын талғамалы жұту.
АПР әдеттегі электрондық парамагниттік резонанспен (ЭПР) тығыз байланысты.
АПР кезіндегі акустикалық энергияның парамагниттік бөлшектерге берілуі спин-
фонондық өзараәсерлесулер арқылы жүзеге асады, бұл кристалішілік, акустикалық
өрістердің (электрлік немесе магниттік) тербелістерін модуляциялау тәсілімен
жүзеге асады.
АПР кезінде кванттық сан m = ±1, ±2 болғанда, әдеттегі ЭПР-та кванттық сан
m = ±1 болғанда таңдау ережесін қанағаттандыратын ауысуларда байқалады.
АПР жиілігі 10
9
–10
11
Гц гипердыбыс аумағында байқалады. Металдарды және
жартылайөткізгіштерді зерттеу үшін скин-эффект қиындық тудыратын әдісі
қолданылмайтын кезде АПР пайдаланылады.
АКУСТИКАЛЫҚ-ЭЛЕКТРЛІК ЭФФЕКТ (латынша «еффектус – орындалу,
әсер») – өткізгіштен акустикалық (ультрадыбыстық қума) толқындардың өтуі
кезінде тұйық электр тізбегінде тұрақты токтың (акустикалық электрлік токтың)
немесе өткізгіштің ажыратылған ұшында электр кернеуінің (акустикалық
электр қозғаушы күштің) пайда болуы. Бұл эффект – акустикалық электрондық
өзараәсерлесудің бір түрі. Ультрадыбыстық толқындардың өткізгіштік элек-
трондарға импульс (және сәйкес энергия) таратуына байланысты ток туады. Осы
жайт дыбыстың таралу бағыты бойынша заряд тасығыштардың бағытталған
қозғалысын, яғни
электр тогын тудырады. Бұл эффектіні 1953 ж. Р.Пармен-
тер алдын ала болжаған, оны алғаш рет 1957 ж. Г.Вайнрайх және Х.Дж.
Уайт байқаған.
АКЦЕПТОР (латынша – қабылдаушы) – жартылай өткізгіштерде кемтік-
тердің
пайда болуымен пара-пар болатын валенттілік аймақтан электрон
қармайтын қоспалы атом. Нүктелік кемтік те акцептор бола алады. Мысалы, қос-
палардан германий (Ge) және кремнийге арналған типтік акцептордың орнын
басуға арналған: (Si) элементтері бар (В), алюминий (Аl), галий (Gа), индий
(In). Акцептор жартылайөткізгіштің тыйым салынған зонасында валенттік
зонаның төбесіне жақын аралықта жергілікті энергетикалық деңгей жасайды.
Бұл деңгей
акцепторлық деңгей деп аталған. Акцептордың иондық энергиясы
тыйым салынған зонаның енінен айтарлықтай кіші болады. Сондықтан акцеп-
торлары болатын жартылайөткізгіштерде акцепторлық валенттік
электрондар-
ды қармау үрдісі олардың өткізгіштік ортаны жылулық толтырулардан артық,
А
79
∑
АБСОЛЮТ БЕЙТАРАП БӨЛШЕК – АЭРОСТАТИКА
66
67
сондықтан валенттік зонадағы шоғырлануынан едәуір артық болады (осындай
жартылайөткізгіш
кемтіктік немесе
р-типті жартылайөткізгіш деп аталған).
Жартылайөткізгіштің кристалдық торларының нүктелік
ақауы да акцептор бола
алады. Жартылайөткізгішке
донорлар ретінде акцептор енгізу (қоспа түрінде)
жартылайөткізгіштің қасиеттерін кең шекте басқаруға мүмкіндік жасайды, осы
жайт, дербес жағдайда электрондық-кемтіктік ауысуларды жүзеге асыруда пай-
даланылады.
АҚ АПАН – эволюциясы
қара апанның пайда болуымен аяқталатын аспан
денесінің гравитациялық қирауының уақыт бойынша өзгеруі болып табылатын
ғарыштық болжамдық нысан. Ақ апанның болу мүмкіндігі (1964 ж. И.Д.
Новиков)
жалпы салыстырмалық теориядан шыққан. Алғашында ақ апанның ішінде
болған зат уақыттың өтуіне байланысты ұлғайып, ең соңында ақ апанның
гравитациялық радиусынан [ақ апанның «жарылысы» («қопарылысы»)] тысқары
шығып кететін болады; осы үрдіс шалғайдағы бақылаушыға түгелдей көрінетін
болады. 1974 ж. ақ апанның айналасындағы заттардың ғарыштық денеге құлап
түсіп ұлғаюы (аккрецияға) және ақ апанның ішінде пайда болатын күшті
гравитациялық өрістен туатын кванттық-гравитациялық эффектілер ақ апанның
«жарылысына» («қопарылысына») жол бермейді және де ақ апанның заттарын
оның ішінде қалдырады. Осылайша пайда болған нысан бақылану қасиеті бо-
йынша қара апанға сәйкес болады, айырмашылығы пайда болу «тарихында» ғана.
«Ақ апан» деген атау шартты сипаттау.
АҚАУ, к р и с т а л д ы қ т о р л а р д а ғ ы (латынша «дефектус – кемшілік,
ақау») – кристалдық торлардың идеал периодты атомдық құрылымнан кез кел-
ген ауытқуы. Ақаулар атомдық масштабтағы немесе макроскоптық өлшемдегі
ақаулар бола алады. Ақаулар жылулық, механикалық және электрлік әсерлер
ықпалымен кристалдану үрдісінде, сондай-ақ нейтрондармен, электрондармен,
рентгендік сәулемен, ультракүлгін сәулемен сәулелендірілген кездері пайда бо-
лады. Қарапайым нүктелік ақау – атомы жоқ кристалдық тордың бос орны – ва-
кансия
(латынның «ваканс – бос орын» деген сөзінен қалыптасқан атау) болып
табылады. Кристалдың өсуі кезіндегі пластикалық деформация үрдісінде крис-
талдарда
дислокация (латынның «ығысу» деген сөзінен қалыптасқан) деп ата-
латын сызықтық ақаудың пайда болуы ықтимал. Ақауларды кристалдарда ішкі
механикалық кернеулер тудыратын серпімді ауытқыған құрылымдар тудырады.
Ақаулар жұту спектрлеріне және люминесценцияға, кристалдардағы жарықтың
шашырауына әсерін тигізеді. Ақаулар электрөткізгіштікті, жылуөткізгіштікті,
магниттік және сегнетэлектрлік қасиеттерді өзгертеді.
