Бҧл
ретте,
жолдың
биттерін
буферлеуді
жҥзеге
асыру
микросҧлбасының ішінде жҥреді, ең алдымен бағанға өтініш жасау
орындалады. Жолдың өлшемі əдетте жад кристалы сыйымдылығына
шаршылы тҥбір болып табылады: 1 Мбит ҥшін 1024 бит, 4Мбитке 2048
бит жəне т.б. Өнімділікті арттыру мақсатында барлық заманауи жад
микросҧлбалары, жолға өтініш жасау ҥшін қосымша уақытсыз буферге
қосымша өтінішті орындауға мҥмкіндік беретін, синхрондау
сигналдарын
беру
мҥмкіндігін
қамтамасыз
етеді.
Мҧндай
оңтайландырудың ҥш əдісі бар:
• блоктік режим;
• жол (парақты) режимі;
• статикалық бағанның режимі.
Б л о к т ы р е ж и м (nibblemode) əрбір RAS сигналы ҥшін төрт
кезекті ҧяшықтың шығуын қамтамасыз етуі мҥмкін.
Парақты режим (page mode) кезінде буфер статикалық
ЕІЕҚ ретінде
жҧмыс істей алады
; бағанның мекенжайы өзгерген кезде, буфердің
туынды биттеріне қолжетімділік бағанының мекенежайы өзгерген
кезде, жолға жаңа өтініш болғанша немесе қалпына келтіру уақыты
келгенше дейін мҥмкін болады.
С т а т и к а л ы қ б а ғ а н (static column) режимі, тек бағанның
мекенжайын өзгерту ҥшін бағанның мекенжайын əрқашан ауыстырып
қосу міндетті еместігін
қоспағанда, парақтық режимге өте ҧқсас.
Сыйымдылығы 1 Мбит
ДЕІЕҚ
микросҧлбаларынан бастап,
көптеген
ДЕІЕҚ
осы режимдердің кез-келгеніне жол береді, тиісті қосылыстарды
таңдау арқылы кристалды тҧрқыға орнату сатысында режимді таңдау
орындалады. Бҧл операциялар
ДЕІЕҚ
ҥшін жады циклінің ҧзақтығын
анықтауды өзгертті. Мҧндай оңтайландырудың артықшылығы, ол ішкі
ДЕІЕҚ
сҧлбаларына негізделген жəне жҥйенің өзіндік қҧнын сəл
арттырады, бҧл жадының өткізу қабілетін төрт еселеуге мҥмкіндігін
береді. Мысалы, nibble mode жадының қабаттануына ҧқсас қолдау ҥшін
əзірленген. Кристал бір уақытта төрт бит оқиды жəне оларды төрт
оңтайландырылған циклдерге береді. Егер шина бойынша тарату
уақыты оңтайландырылған циклдың уақытынан аспайтын болса, төрт
есе қабаттаумен жадты ҧйымдастырудағы жалғыз қиындық синхронды
сигналдарды басқарудың бірнеше кҥрделі сҧлбасынан тҧрады.
Парақтық режим жəне статикалық баған режимі, əлдеқайда бірнеше
кҥрделі басқару кезінде қабаттанудың барынша ірі дəрежесін
қамтамасыз ете отырып қолданылуы мҥмкін.
ДЕІЕҚ
əзірлеудегі
ҥрдістердің бірі оларда ҥш жағдайдан тҧратын буфердің болуы. Ол
жҥйеде жадыдағы кристалдардың ірі санының дəстҥрлі қабаттануын
іске
асыру
ҥшін,
жадының
əрбір
банкі
ҥшін
буферлік
микросҧлбалардың болуы көзделуі тиіс.