А
79
∑
АБСОЛЮТ БЕЙТАРАП БӨЛШЕК – АЭРОСТАТИКА
78
79
қозғалысын, яғни
электр тогын тудырады. Бұл эффектіні 1953 ж. Р.
Пармен-
тер алдын ала болжаған, оны алғаш рет 1957 ж. Г.
Вайнрайх және Х.Дж.
Уайт байқаған.
АКУСТИКАЛЫҚ ЯДРОЛЫҚ МАГНИТТІК РЕЗОНАНС (АЯМР) –
тұрақты магнит өрісінде орналасқан қатты денедегі атом ядроларының магниттік
моменттерінің қайтадан бағдарлануы себепті акустикалық тербелістердің
(фонондардың) энергияларын талғамды жұту. Көпшілік ядролық резонанстық
жұту жиілігі 1-ден 100 МГц-ке дейінгі ультрадыбыс аймағында байқалады. АЯМР
ядролық магниттік резонансқа (ЯМР-ға) ұқсас.
Фонондардың резонанстық жұтылуының табиғаты әртүрлі ішкі өзараәсер-
лесудің акустикалық тербелістер мен модуляциялануы салдарынан серпімді
толқындардың энергияларын ядролық спиндер жүйесіне берумен байланысты. Егер
фононның энергиясы энергиялар деңгейлерінің айырымына тең болса, жиілігі (v)
акустикалық тербеліс затта таралғанда спиннің әрқилы бағыттарымен сипаттала-
тын магниттік кіші деңгейлер арасында ядроның кванттық ауысуын тудыра алады.
Төменгі деңгейден (
1
) жоғарғы деңгейге (
2
) ауысу фононды жұтумен қабаттас
өтеді, ал жоғарғы деңгейден төменгі деңгейге ауысу фонон шығарумен өтеді.
Термодинамикалық тепе-теңдік кезде
2
энергиялы деңгейдегі ядролар саны N
2
1
энергиялы деңгейдегі ядролар санынан N
2
аз болатындықтан, акустикалық
тербелістер кезіндегі жұту актісінің саны шығару актісінен артық болады, осы-
ның нәтижесінде АЯМР-да фонондардың резонанстық жұтылуы жүзеге асыры-
лады. АЯМР кезінде магниттік кванттық сандары m =±1, ±2 болатын ауысуларға
рұқсат берілген, ал әдеттегі ЯМР-да тек m = ±1 санды ауысуға ғана рұқсат етілген.
АЯМР-ды қатты денелердегі сызықтық емес фонон-фонондық өзараәсерлесу-
лерді тіркеу үшін пайдалануға болады.
АКЦЕПТОР (латынша – қабылдаушы) – жартылай өткізгіштерде
кемтік-
тердің
пайда болуымен пара-пар болатын валенттілік аймақтан электрон
қармайтын қоспалы атом. Нүктелік кемтік те акцептор бола алады. Мысалы, қос-
палардан германий (Ge) және кремнийге арналған типтік акцептордың орнын
басуға арналған: (Si) элементтері бар (В), алюминий (Аl), галий (Gа), индий
(In). Акцептор жартылайөткізгіштің тыйым салынған зонасында валенттік
зонаның төбесіне жақын аралықта жергілікті энергетикалық деңгей жасайды.
Бұл деңгей
акцепторлық деңгей деп аталған. Акцептордың иондық энергиясы
тыйым салынған зонаның енінен айтарлықтай кіші болады. Сондықтан акцеп-
торлары болатын жартылайөткізгіштерде акцепторлық валенттік
электрондар-
ды қармау үрдісі олардың өткізгіштік ортаны жылулық толтырулардан артық,
А
79
∑
АБСОЛЮТ БЕЙТАРАП БӨЛШЕК – АЭРОСТАТИКА
80
81
сондықтан валенттік зонадағы шоғырлануынан едәуір артық болады (осындай
жартылайөткізгіш
кемтіктік немесе
р-типті жартылайөткізгіш деп аталған).
Жартылайөткізгіштің кристалдық торларының нүктелік
ақауы да акцептор бола
алады. Жартылайөткізгішке
донорлар ретінде акцептор енгізу (қоспа түрінде)
жартылайөткізгіштің қасиеттерін кең шекте басқаруға мүмкіндік жасайды, осы
жайт, дербес жағдайда электрондық-кемтіктік ауысуларды жүзеге асыруда пай-
даланылады.
АҚ АПАН – эволюциясы
қара апанның пайда болуымен аяқталатын аспан
денесінің гравитациялық қирауының уақыт бойынша өзгеруі болып табылатын
ғарыштық болжамдық нысан. Ақ апанның болу мүмкіндігі (1964 ж. И.Д.
Новиков)
жалпы салыстырмалық теориядан шыққан. Алғашында ақ апанның ішінде
болған зат уақыттың өтуіне байланысты ұлғайып, ең соңында ақ апанның
гравитациялық радиусынан [ақ апанның «жарылысы» («қопарылысы»)] тысқары
шығып кететін болады; осы үрдіс шалғайдағы бақылаушыға түгелдей көрінетін
болады. 1974 ж. ақ апанның айналасындағы заттардың ғарыштық денеге құлап
түсіп ұлғаюы (аккрецияға) және ақ апанның ішінде пайда болатын күшті
гравитациялық өрістен туатын кванттық-гравитациялық эффектілер ақ апанның
«жарылысына» («қопарылысына») жол бермейді және де ақ апанның заттарын
оның ішінде қалдырады. Осылайша пайда болған нысан бақылану қасиеті бо-
йынша қара апанға сәйкес болады, айырмашылығы пайда болу «тарихында» ғана.
«Ақ апан» деген атау шартты сипаттау.
АҚАУ, к р и с т а л д ы қ т о р л а р д а ғ ы (латынша «дефектус – кемшілік,
ақау») – кристалдық торлардың идеал периодты атомдық құрылымнан кез кел-
ген ауытқуы. Ақаулар атомдық масштабтағы немесе макроскоптық өлшемдегі
ақаулар бола алады. Ақаулар жылулық, механикалық және электрлік әсерлер
ықпалымен кристалдану үрдісінде, сондай-ақ нейтрондармен, электрондармен,
рентгендік сәулемен, ультракүлгін сәулемен сәулелендірілген кездері пайда бо-
лады. Қарапайым нүктелік ақау – атомы жоқ кристалдық тордың бос орны – ва-
кансия
(латынның «ваканс – бос орын» деген сөзінен қалыптасқан атау) болып
табылады. Кристалдың өсуі кезіндегі пластикалық деформация үрдісінде крис-
талдарда
дислокация (латынның «ығысу» деген сөзінен қалыптасқан) деп ата-
латын сызықтық ақаудың пайда болуы ықтимал. Ақауларды кристалдарда ішкі
механикалық кернеулер тудыратын серпімді ауытқыған құрылымдар тудырады.
Ақаулар жұту спектрлеріне және люминесценцияға, кристалдардағы жарықтың
шашырауына әсерін тигізеді. Ақаулар электрөткізгіштікті, жылуөткізгіштікті,
магниттік және сегнетэлектрлік қасиеттерді өзгертеді.
