Ќазаќстан Республикасы білім жєне ѓылым министрлігі

50 
формальдық жағынан жүргізілген есептеуге сай келеді. Бұл есептеуде әр 
электронға меншікті эффективті ядролық заряд ζ мәні сәйкестендіріледі; 
әдетте эффективті заряд бір орбитальға орналасқан электрондардың әрбір 
жұбына бірден сәйкестендірілетін болатын. Сонымен бірге «double
-
ζ» (екі 
экспонентті) термині әрбір атомдық орбиталь слейтерлік типтегі (ζ мәндері 
әртүрлі) функциялар жұбымен берілетін базисті немесе дәлдіктің ұқсас 
деңгейіндегі басқа базистерді (мысалы, гаустік) белгілеу үшін қолданылады). 
ССП әдісі арқылы жүргізілген есептеулерді анықтағаннан соң 
конфигурациялық әсерлесу кең көлемде есепке алынған. Есептеу барысында 
молекула геометриясын оптимизациялау жүзеге асырылған. Осыған ұқсас 
есептеулер дәлдіктің дәл сондай деңгейінде HNC молекуласы үшін де 
орындалған. Бұл жүргізілген есептеулердің дәлдігіне сенімділікті 
эксперименттік мәліметтері белгілі молекулада тексеруге мүмкіндік берген. 
HCN молекуласы үшін есептелінген CN арақашықтығы 1,153 А 
(эксперименттік мәні 1,153), НС арақашықтығы 
–
1,068 А (1,066) және 
айналмалық тұрақтысы 
–
4,453·10
10
с
-1
(4,452·10
10
) болған. Осы әдіспен 
жүргізілген есептеулер HNC молекуласының да, сондай
-
ақ НСО
+
бөлшегінің 
де сызықтық бөлшектер болуы тиіс екендігін көрсеткен. НNС молекуласы 
үшін есептелген CN арақашықтығы 1,169 А, ал HN арақашықтығы 0,995 А; 
есептелген В мәні 4,543·10
10
с
-1
. НСО
+
бөлшегі үшін есептелген СО байланыс 
ұзындығы 1,1045 А, НС байланыс ұзындығы 1,095 А; есептелген В мәні 
4,466·10
10
с
-1
. Бұл нәтижелер 8,9189·
10
10
с
-1
жиілікпен сәулеленетін бөлшек 
НСО
+
, ал 9,0665·10
10
с
-1
жиілікпен сәулеленетін бөлшек НNС болады деп 
тұжырым жасауға даусыз негіз болған. 

жүктеу 0,89 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: