Просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ). Объектами ПЭМ могут быть отдельные (дисперсные) частицы (порошки, бактерии, бактериофаги, дымы, крупные молекулы), так и сплошные среды (различного рода пленки и срезы). Круг минералогических задач, которые могут быть решены с помощью ПЭМ следующий: 1) изучение формы, размеров, относительной толщины, установление вещественной неоднородности и выявление неоднородности минералов и других структурных и морфологических особенностей минеральных индивидов, находящихся за пределами разрешения световой оптики; 2) решение вопроса (в совокупности с другими методами) о возможности обособления редких и рассеянных элементов и других ценных микропримесей в виде самостоятельных фаз в минералах носителях.
Оптическая схема электронного микроскопа для исследований в проходящих лучах сходна со схемой светового проекционного микроскопа. Только в электронном микроскопе все оптические элементы светового микроскопа заменяются соответствующими электромагнитными. Источником света служит, нагреваемая электрическим током, вольфрамовая нить. Вылетевшие из пушки электроны попадают в поле конденсорной линзы. Она формирует их траектории таким образом, что они параллельным пучком, диаметр которого сжимается до 1,5 мк, падают на специально подготовленный исследуемый объект. Различные участки образца, в зависимости от их толщины и плотности, по-разному пропускают и рассеивают падающие на них электроны. После прохождения объективной, промежуточной и проекционной линз на экране будут фокусироваться лишь те электроны, которые при прохождении объекта отклоняются на сравнительно малые углы. В последствии, такие участки на экране, находящемся в нижней части микроскопа будут светлыми.
Растровый электронный микроскоп (РЭМ). Этот микроскоп предназначен для исследования «толстых» непрозрачных для пучка электронов объектов. Его оптическая схема в основном аналогична схеме отражающего оптического микроскопа. Электронный пучок в растровых микроскопах не статичен, а обегает некоторую площадь. Попадая на поверхность образца, он выбивает электроны (вторичные по отношению к пучку) с его поверхности. Система регистрации (детектор) улавливает, сортирует (по энергии и углам рассеяния) и накапливает вторичное излучение. Таким образом, яркость экрана зависит от числа вторичных электронов попавших на регистрирующую систему, которое, в свою очередь, определяется состоянием исследуемой поверхности. Различные кристаллы образца, а также различные вкрапления будут обладать различным коэффициентом вторичной эмиссии, т. е. будут излучать различное число вторичных электронов; следовательно, им будет соответствовать различная яркость экрана кинескопа. Таким образом, на экране кинескопа возникает изображение поверхности образца.
Достарыңызбен бөлісу: |