Реферат Тақырыбы: жартылайөткізгіштер, жартылайөтгіштердің түрлері №

жүктеу 3,44 Mb. бет 12/14 Дата 16.03.2022 өлшемі 3,44 Mb. #37847 түрі Реферат

5.Электронды–кемтіктік p–n ауысу  Электронды-кемтіктік ауысуы - бір кристалдағы электрондар мен тесіктердің өткізгіштік беттерін бөлетін аймақ. Электронды-кемтіктік ауысуы бір кристалда жүзеге асырылады, онда электронды және саңылау өткізгіштіктерінің аймақтары арасында айтарлықтай өткір шекара алынады. Суретте жартылай өткізгіштің шекаралас екі аймағы көрсетілген, олардың бірінде донорлық қоспа (электрондық аймақ, яғни n-өткізгіштік), екіншісінде акцепторлық қоспа (тесік өткізгіштік аймағы, яғни p-өткізгіштік) бар. Қолданылатын кернеу болмаған жағдайда, көп заряд тасымалдаушылардың бір аймақтан екінші аймаққа диффузиясы байқалады. Электрондар негізгі заряд тасымалдаушылар болғандықтан және n аймағында олардың концентрациясы үлкенірек болғандықтан, олар осы аймақтың шекаралық қабатын теріс зарядтай отырып, p аймағына диффузияланады. Бірақ өз орнын қалдырып, электрондар бос орындар – саңылаулар жасайды, осылайша n-аймақтың шекараға жақын қабатын оң зарядтайды. Осылайша, жеткілікті қысқа уақыт кезеңінен кейін интерфейстің екі жағында қарама-қарсы таңбалы кеңістік зарядтары қалыптасады. Ғарыштық зарядтармен жасалған электр өрісі саңылаулар мен электрондардың одан әрі диффузиясын болдырмайды. Биіктігі шекаралық қабаттағы потенциалдар айырмасымен сипатталатын потенциалдық тосқауыл деп аталатын пайда болады. Сыртқы нұсқада электронды-тесік ауысуы жартылай өткізгіш диод түрінде жүзеге асырылады. жүктеу 3,44 Mb. Достарыңызбен бөлісу:

©g.engime.org 2024
әкімшілігінің қараңыз