Реферат Тақырыбы: Жартылай өткізгіш құрылғылар,күшейту каскадтары. Электрондық және иондық құрылғылар

жүктеу 30 Kb.

бет	3/5
Дата	25.04.2023
өлшемі	30 Kb.
	#42330
түрі	Реферат

1 2 3 4 5

СӨЖ.Еркінбайұлы Мейіржан эл.тех

P типті жартылай өткізгіш
N типті жартылай өткізгіш

Сыртқы жартылай өткізгіштер

Олар меншікті ішкі өткізгіштер құрамына кірлерді қосқанда сәйкес келеді; яғни үш валентті немесе бес валентті элементтерді қосу арқылы. Бұл процесс допинг деп аталады және оның мақсаты материалдардың өткізгіштігін арттыру, олардың физикалық және электрлік қасиеттерін жақсарту болып табылады.
Меншікті жартылай өткізгіш атомды басқа компоненттің атомымен алмастыру арқылы сыртқы жартылай өткізгіштердің екі түрін алуға болады, олар төменде егжей-тегжейлі сипатталған.

P типті жартылай өткізгіш

Бұл жағдайда қоспалар үш валентті жартылай өткізгіш элемент болып табылады; яғни оның валенттік қабығында үш (3) электрон бар.
Құрылым ішіндегі интрузивті элементтер допинг элементтері деп аталады. Р-типті жартылай өткізгіштер үшін осы элементтердің мысалдары бор (В), галлий (Га) немесе индий (Ін) болып табылады.
Меншікті жартылай өткізгіштің төрт ковалентті байланысын құру үшін валенттік электронның жетіспеуі, Р типті жартылай өткізгіштің жетіспейтін байланыста саңылауы бар.
Жоғарыда айтылғандар кристалды торға жатпайтын электрондардың оң зарядты өткізетін осы тесік арқылы өтуін қамтамасыз етеді. Байланыс саңылауының оң заряды болғандықтан, өткізгіштердің бұл түрлері «Р» әрпімен белгіленеді, демек, олар электронды акцепторлар ретінде танылады. Байланыстағы тесіктер арқылы электрондар ағыны бос электрондардан алынған токқа қарсы бағытта айналатын электр тогын тудырады.

N типті жартылай өткізгіш

Конфигурациядағы интрузивті элемент бес валентті элементтермен берілген; яғни валенттік аймақта бес (5) электрон барлар.
Бұл жағдайда меншікті жартылай өткізгішке қосылатын қоспалар фосфор (P), сурьма (Sb) немесе мышьяк (As) сияқты элементтер болып табылады.
Допандарда валенттілік электроны бар, олар байланыстыратын ковалентті байланыссыз, автоматты түрде кристалдық тор арқылы қозғалады.
Мұнда электр тогы допант беретін бос электрондардың артықтығы арқасында материал арқылы айналады. Демек, N типті жартылай өткізгіштер электронды донор болып саналады

жүктеу 30 Kb.

Достарыңызбен бөлісу:

1 2 3 4 5