31
Платада қолданылған компоненттердің түрлері
Т
1
-Т
3
трансформаторлары Amidon фирмасы шығарған FT82-43 болатын
ферриттік сақиналардан өлшемдері 21×13×6 мм, барлық орамдар сымның
диаметрі 0,5 мм-лік Т
1
және 0,64 мм Т
2
, Т
3
тұрады. Оксидты С
5
конденсаторы
номиналды 25 В кем емес кернеуде берілген, ал қалған конденсаторлар
керамикалық болып келеді.
Платадағы дәнекерлеудегі радиоэлементтердің орналасуы төмендегі
1.10 суретте көрсетілген.
1.10 сурет – ЖЖ күшейткіштің сұлбасы
Келесі 1.11 суретте күшейткіштің графикалық сұлбасы берілген. Бұл
сұлбаның өлшемі, яғни тізбектердің өлшемдері 130×38 мм құрайды.
32
1.11 сурет – Күшейткіштің графикалық сұлбасы
Бұл күшейткіштің графикалық сұлбасы осы ретпен платада
дәнекерленіп, жұмыс істеу принципін экспериментте жүзеге асыруға болады.
2 ЖЖ екітактылы күшейткішті есептеу бөлімі
2.1 Принципиалды схеманы есептеу
33
2.1.1 МДЖ-транзисторлардағы СҚГ-ға есептеу жүргізу.
Қазіргі замандағы қуатты МДЖ өрістік транзисторлары жиілікті-
қуаттық көрсеткіштермен биполярлы транзисторларды қуып жетті. Өрістік
транзисторларды
артықшылықтарымен
қатар,
оны
биполярлы
транзисторлардан бұрын қуатты каскадты күшейткіштерде кеңінен
қолданылады.
МДЖ-транзисторлардың құйма тізбегіндегі СҚГ-ның есептелуі, дәл
биполярлы транзисторлардағы сияқты әдістемемен есептелінеді.
Біршама есептеулерде құйма тоғының I
c1
бірінші гармоникасының
құйма тізбегінің және кіріс тізбегіндегі жүктемелік кедергі R
эк
параметрлері
мынадай тізбекпен есептелінеді.
Берілгені:
1) R
эк
= 54 Ом – жүктемелі кедергі;
2) R
i
= 0,54 Ом – транзистордың ішкі кедергісі;
3) I
c1
= 0,15 А – бірінші гармоникадағы ток амплитудасы;
4) S = 1,3 А/В – құламалық (крутизна) транзистордың сипаттамасы;
5)
𝛾
1
(θ) = 0,5 – Берг коэффициенті;
6)
f =
30 МГц
Арнадағы амплитуданың айнымалы кернеуі:
U
кан
= I
c1
(1+ R
эк
/ R
i
) / S
𝛾
1
(θ), (2.1)
U
кан
= 0,15(1+ 54/0.54) /1,3
∙ 0,5 = 23,3 B.
Бекітпедегі ығысу кернеуі:
E
зи
= E
отс
− U
кан
cos
𝜃, (2.2)
E
зи
= 4 – 23,3
∙ 0= 4 В.
Бекітпедегі максималды кернеу:
±Е
зи max
Е
з
±U
кан
>
Е
зи доп
, (2.3)
мұндағы Е
зи доп
= ± 20 В;
U
кан
= 23,3 B.
Бекітпе тоғының амплитудасы:
I
з
= χ 2 πfC
кан
(1 + R
эк
/ R
i
) I
c1
/ S
𝛾
1
(θ), (2.4)
34
I
з
=1,12 ∙ 6,28 ∙ 30 ∙ 10
6
∙165∙ 10
−12
(1+50/0,54)
∙ 0,15/1,3 ∙ 0,5 = 0,054 А,
мұндағы χ = 1 + [ S 𝛾
1
(θ)R
эк
R
i
/(
R
эк
+ R
i
) + 1] С
зс
/C
кан
;
χ =1 + [1,3 ∙ 0,5 ∙ 50 ∙ 0,54/(50 + 0,54) + 1]15 ∙10
-12
/165
∙ 10
-12
=1,12.
L
вхОИ,
r
вхОИ,
С
вхОИ
мағыналарын транзистордың кіріс кедергісінің
эквивалентті схемасынан аламыз.
L
вхОИ
= L
з
+ L
и
/
χ,
r
вхОИ
= r
з
+ [r
кан
+ r
и
+ (L
и
/
C
кан
) S
𝛾
1
(θ)]/
χ, (2.5)
С
вхОИ
= χC
кан
/[1+ r
и
S
𝛾
1
(θ)],
L
вхОИ
= 3
∙10
-9
+ 7,5
∙ 10
-9
/1,12 = 9,375 Гн,
r
вхОИ
= 0 + [0,5 + 0,04 + (7,5
∙ 10
-9
/165
∙ 10
-12
) ∙ 1,3 ∙ 0,5/1,12 = 27 Ом,
С
вхОИ
= 1,12
∙ 165 ∙ 10
-12
/[1+ 0,04
∙1,3 ∙ 0,5] = 180 ПФ.
Кіріс кедергісінің резистивті және реактивті құраушылары:
r
вх
= r
вхОИ
,
х
вх
= 2
πf L
вхОИ
−1/(2πf C
вхОИ
),
r
вх
= 27 Ом,
х
вх
= 6,28
∙ 30 ∙ 10
6
∙ 9,375−1/(6,28 ∙ 30 ∙ 10
6
∙ 180 ∙10
-12
) = 0,05 Ом.
Кіріс қуаты:
P
вх
= 0,5I
2
з
r
вх
,
(2.7)
P
вх
= 0,5
∙ 0,054
2
∙ 27 = 0,039 Вт.
Шекаралық режимде құймадағы (сток) кернеудің бірінші
гармоникалық амплитудасын есептейміз.
U
с1гр
= Е
с
− Е
с0
−[ 𝛼
0
(
𝜃)/ 𝛼
1
(
𝜃)] I
c1
(r
с
+ r
и
), (2.8)