Электроника. Микроэлектроника «Электроника»

Химиялық таза жартылай өткізгіш аталады

жүктеу 9,61 Mb.

бет	2/82
Дата	21.05.2018
өлшемі	9,61 Mb.
	#15437

1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 82

2.39 Химиялық таза жартылай өткізгіш аталады:

А) Идеалды және i- жартылай өткізгіш болып белгіленеді.

В) Негізгі және k- жартылай өткізгіш болып белгіленеді.

С) Негізгі және i- жартылай өткізгіш болып белгіленеді.

D) Меншікті және k- жартылай өткізгіш болып белгіленеді.

Е) Меншікті және i- жартылай өткізгіш болып белгіленеді.

2.40 Меншікті немесе i- жартылай өткізгіш болып белгіленеді:

А) Физикалық таза жартылай өткізгіш.

В) Химиялық таза жартылай өткізгіш.

С) Біркелкі n және p легирленген жартылай өткізгіш.

D) Тек қоспалы өткізгішті.

Е) Негізгі заряд тасушы жартылай өткізгіш.

2.41 n және p-түрлерінің өткізгіш қабаттарын түйістіретін жазық аталады:

А) Біріктірілген қабат.

В) Изоляциоланға қабат

С) Металлургиялық зона.

D) Металлургиялық шекара.

Е) Кедергі қабаты.

2.42 р-n ауысу облысының металлургиялық шекарасы деп аталады:

А) n-түрі өткізгіштің қабатының түйістіру жазағы мен біріктірілген қабат.

В) Бос тасушылары жоқ р-n ауысу облысы.

С) n және p-түрлерінің өткізгіш қабаттарын түйістіретін жазық аталады.

D) р-түрі өткізгіш қабатының түйісу жазағы мен біріктірілген қабаты.

Е) Бос тасушылары толтырылған р-n ауысу облысы.

2.43 p-n ауысу облысында қарама-қайшы зарядтардың қарсы қозғалысының нәтижесінде пайда болатын электрлік тоқ аталады:

А) Диффузионды.

В) Кедергілі.

С) Динамикалы бірсалмақты.

D) Қарама-қарсы.

Е) Потенциалды.

2.44 Бос тасушылары жоқ жартылай өткізгіштің облысы аталады:

А) Түскі қабат.

В) Жинақталған қабат.

С) Біріктірілген қатар.

D) Қосылған қабат.

Е) Айналатын қабат.

2.45 n және p-түрдің заряд тасушылардың біркелкі концентрациясынның жартылай өткізгіш облысы аталады:

А) Айналатын қабат.

В) Жинақталған қабат.

С) Кемітілген қабат.

D) Біріктірілген қабат.

Е) Кемітілген қатар.

2.46 Жартылай өткізгіштің кемітілген қатар облысы аталды:

А) n- немес р-түр бос заряд тасушылармен толықтырылған.

В) Бос заряд тасушылармен толықтырылған.

С) n- немес р-түр бос заряд тасушылардың жоқтығы

D) Бос заряд тасушылардың жоқтығы

Е) n- немес р-түр бос заряд тасушылардың болмауы

2.47 Бос тасушылрадың қалмауы болатын теріс және оң зарядтардың концентроциясы:

А) Потенциалды тосқауыл.

В) Бірсалмақты концентрация.

С) Потенциалды концентрация.

D) Потенциалды орын алмастыру.

Е) Потенциалды тепетеңдік.

2.48 Кемітілген қатардың р-n ауысуында кеңеюі аталады:

А) n-түр облысында заряд тасушылардың концентрациясының көбеюі.

В) потенциалды кедергінің φ_оұлғаюы.

С) потенциалды кедергінің φ_о азаюы.

D) n-түр облысында заряд тасушылардың концентрациясының азаюы.

Е) р-түр облысында заряд тасушылардың концентрациясының азаюы.

2.49 р-n ауысуындағы кемітілген қатар зонасының азаюы білдіреді:

А) n-түр облысында заряд тасушылардың концентрациясының көбеюі.

В) потенциалды тосқауылдың φ_о ұлғаюы.

С) потенциалды тосқауылдың φ_о азаюы.

D) n-түр облысында заряд тасушылардың концентрациясының азаюы.

Е) р-түр облысында заряд тасушылардың концентрациясының азаюы.

2.50 p-n ауысу потенциалды тосқауыл φ₀ …

А) Металлургиялық шекарада диффузионды-дрейфті тепе-теңдікті құру процессінде заңты түрде пайда болады.

В) Қатты дененің екі облысында бола алмайды.

С) р және n – обласында негізгі заряд тасушылардың алмасу төмендейді, бірақ негізгі емес заряд тасушылар қозғалысына әсер етпейді.

D) Бір облыстан екінші облысқа өтуде барлық заряд тасушыларға тосқауыл болады.

Е) р және n обласындағы негізгі заряд тасушылармен алмасуды төмендетеді және негізгі емес зарядтардың қозғалысын қосады.

2.51 р- n ауысу патенциалды тосқауылы қатар потенциалына тең болғанда суретте кедергінің биіктігін көрсетіңіз:

А) 1.

В) 2.

С) 3.

D) 4.

Е) 5.

2.52 р- және n-түр материалдары арасының шекарадағы жартылай өткізгш ауысу материалдардың өзгерілуін алып келеді:

А) р-түрінен n-түріне және р-түр жартылай өткізгішін құрады..

В) р-түрінен n-түріне екі элементтің кристалдық тор шеңберінде.

С) кристалдық тордың деформациясы кезінде р-түрден n-түріне ауысу.

D) р-түрінен n-түріне кристалдық тордың құрылымының ауысуымен.

Е) р-түрінен n-түріне бір кристалдық тор шеңберінде.

2.53 Тура кернеу үшін p-n ауысуында ВАХ қандай бөлігі сәйкес келеді?