4.63 Классификацияға сәйкес төмеңгі жиіліктегі транзисторларға жұмыс жиілігі төмендегідей болатын транзисторлар жатады:
А) f < 3 МГц.
В) f > 300 МГц.
С) 3 < f < 30 МГц.
D) 30 < f < 300 МГц.
Е) 300 < f < 3000 МГц.
4.64 Классификацияға сәйкес орташа жиіліктегі транзисторларға жұмыс жиілігі төмендегідей болатын транзисторлар жатады:
А) f < 3 МГц.
В) 30 < f < 300 МГц.
С) 3 < f < 30 МГц.
D) f > 300 МГц.
Е) 300 < f < 3000 МГц.
4.65 Классификацияға сәйкес жоғарғы жиіліктегі транзисторларға жұмыс жиілігі төмендегідей болатын транзисторлар жатады:
А) f < 3 МГц.
В) 30 < f < 300 МГц.
С) f > 300 МГц.
D) 3 < f < 30 МГц.
Е) 300 < f < 3000 МГц.
4.66 Классификацияға сәйкес СВЧ жиіліктегі транзисторларға жұмыс жиілігі төмендегідей болатын транзисторлар жатады:
А) f < 3 МГц.
В) 30 < f < 300 МГц.
С) f > 300 МГц.
D) 3 < f < 30 МГц.
Е) 300 < f < 3000 МГц.
4.67 Классификацияға сәйкес кіші қуаттағы транзисторларға қуаты төмендегідей болатын транзисторлар жатады:
А) Рк < 0,3 Вт.
В) 0,3 < Рк < 1,5 Вт.
С) Рк > 1,5 Вт.
D) 1,5 < Рк < 3,0 Вт.
Е) 3,0 < Рк < 4,5 Вт.
4.68 Классификацияға сәйкес орташа қуаттағы транзисторларға қуаты төмендегідей болатын транзисторлар жатады:
А) Рк < 0,3 Вт.
В) 0,3 < Рк < 1,5 Вт.
С) Рк > 1,5 Вт.
D) 1,5 < Рк < 3,0 Вт.
Е) 3,0 < Рк < 4,5 Вт.
4.69 Классификацияға сәйкес жоғарғы қуаттағы транзисторларға қуаты төмендегідей болатын транзисторлар жатады:
А) 3,0 < Рк < 4,5 Вт.
В) 1,5 < Рк < 3,0 Вт.
С) Рк > 1,5 Вт.
D) 0,3 < Рк < 1,5 Вт.
Е) Рк < 0,3 Вт.
4.70 Uni, 40V, 0,1A, 0,25W, 2MHz мінездесімен 2N1223 түрдегі транзисторлар классификацияна сәйкес мынадай транзисторларға жатады:
А) УВЧ.
В) СВЧ.
С) Жоғарғы жиілікті.
D) Орташа жиілікті.
Е) Төмеңгі жиілікті.
4.71 NF/S, 50V, 0,4A, 0,2W, 8MHz мінездесімен 2N1350 түрдегі транзисторлар классификацияға сәйкес мынадай транзисторларға жатады:
А) СВЧ.
В) УВЧ.
С) Жоғарғы жиілікті.
D) Орташа жиілікті.
Е) Төмеңгі жиілікті.
4.72 HF, 35V, 0,05A, 0,06W, 180MHz мінездесімен 2N1887 түрдегі транзисторлар классификацияға сәйкес мынадай транзисторларға жатады:
А) Жоғарғы жиілікті.
В) Орташа жиілікті.
С) Төмеңгі жиілікті
D) СВЧ.
Е) УВЧ.
4.73 HF, 35V, 0,05A, 0,06W, 400MHz мінездесімен 2N1868түрдегі транзисторлар классификацияға сәйкес мынадай транзисторларға жатады
А) УВЧ.
В) СВЧ.
С) Төмеңгі жиілікті.
D) Орташа жиілікті.
Е) Жоғарғы жиілікті.
4.74 HF, 35V, 0,05A, 0,06W, 400MHz мінездесімен 2N1868түрдегі транзисторлар классификацияға сәйкес мынадай транзисторларға жатады
А) Үлкен қуатты.
В) Орташа қуатты.
С) Кіші қуатты.
D) Жоғарғы қуатты.
Е) Төмеңгі қуатты.
4.75 VNF, 30V, 0,1A, 0,5W, 250MHz мінездесімен 2N1492 түрдегі транзисторлар классификацияға сәйкес мынадай транзисторларға жатады
А) Аз қуатты.
В) Төмеңгі қуатты.
С) Үлкен қуатты.
D) Жоғарғы қуатты.
Е) Орташа қуатты.
4.76 S-L, 60V, 3A, 30W мінездесімен 2N1422 түрдегі транзисторлар классификацияға сәйкес мынадай транзисторларға жатады:
А) Үлкен қуатты.
В)Аз қуатты.
С) Орташа қуатты.
D) Жоғарғы қуатты.
Е) Төмеңгі қуатты.
5 Өрісті транзисторлар
Бөлімде дәріс материалының «Өрісті транзисторлар» тарауы бойынша тесттік сұрақтар енгізілген: өрісті транзисторлардың анықтамасы мен классификациясы, электрлік сұлбалардағы транзисторлардың шартты белгіленуі, транзисторлардың вольт-амперлі сиапаттамасы (ВАС), транзисторлар түрлері, жұмыс принциптері.
5.1 Өрісті транзисторладың (ӨТ) биөрісті транзисторлармен (БТ) салыстырғандағы айырмашылығын көрсетіңіз.
А) ӨТ жұмысы жоғары жиілікті тиек сыйымдылығының ұзақ уақытымен себептелінген.
В) ӨТ жұмысы заряд тасушы дрейфпен байланысты, бұл олардың мінездемелерінің әлсіз температуралы тәуелділікке әкеледі.
С) ӨТ – да заряд тасушыларыны жиналу және таралуға байланысты ауысу процестері болмайды.
D) ӨТ Iвх аз қолданады, ИМС – та бір транзисторға ең кіші аудан келеді, жасау технологиясында қарапайым болады.
Е) ӨТ Rвх- дің жоғарысын қамтиды, ол қайта ығыстырудағы p-n ауысымының кедергісімен анықталады.
5.2 Өрісті транзисторладың биөрісті транзисторлармен салыстырғандағы басымдылығы:
А) Кіру тізбегіндегі шамалы токты пайдалану.
В) Жиіліктің неғұрлым кең диапазонындағы жұмыс істеу мүмкіндігі.
С) Температураның неғұрлым кең диапазонындағы жұмыс істеу мүмкіндігі.
D) Күшейткіш каскадтардағы нөлдің шамалы дрейфі.
Е) Күшейткіш каскадтардағы кернеудің шамалы өтемі.
5.3 Өрісті транзисторларға қатысты «МДП» аббревиатурасы бұл:
А) Монокристалл-диэлектргіш-жартылай өткізгіш.
В) Металл-диэлектргіш-өткізгіш.
С) Металл-диэлектргіш-жартылай өткізгіш.
D) Металл-десантник-өткізгіш.
Е) Металл-диэлектргіш-толық өткізгіш.
5.4 Өрісті транзисторларға қатысты «МОП» аббревиатурасы бұл:
А) Металл- тотықтырғыш-өткізгіш.
В) Металл-тотықтырғыш-жартылай өткізгіш.
С) Монокристалл-окисел-жартылай өткізгіш.
D) Металл-тотықтырғыш-жартылай өткізгіш.
Е) Металл-айырғыш-жартылай өткізгіш.
5.5 Өрісті транзисторлар жұмыс істеу принципіне тәуелді бөлінуі:
А) Өрісті және өрісті емес транзисторлар.
В) p-n ауысымды және ауыспайтын өрісті транзисторлар.
С) МОП- және МДП-типті өрісті транзисторлар.
D) p-n ауысымды және МОП (МДП)-типті өрісті транзисторлар .
Е) Өрісті және биөрісті транзисторлар.
5.6 Өрісті транзисторларда сыртқы тізбекке шығуының аталуы:
А) Анод, База, Катод.
В) Эмиттер, База, Коллектор.
С) Қайнар көз, Тиек, Сток.
D) Эмиттер, Тиек, Коллектор.
Е) Эмиттер, Канал, Коллектор.
5.11 Транзистор электродтарының 1, 2 және 3 кезектесте дұрыс орналасуын көрсетіңіз:
|
А)Тиек, Қайнар көз, Сток.
В) Сток, Тиек, Қайнар көз.
С) Қайнар көз, Сток, Тиек.
D) Сток, Қайнар көз, Тиек.
Е) Қайнар көз, Тиек және Сток.
|
5.8 1 цифрымен белгіленген транзистор электродының дұрыс аталуы қандай?
|
А) Қайнар көз.
В) Эммитер.
С) Анод.
D) Коллектор.
Е) Катод.
|
5.9 2 цифрымен белгіленген транзистор электродының дұрыс аталуы қандай?
|
А) Орташа.
В) Изолятор.
С) База.
D) Тиек.
Е) Подложка.
|
5.10 3 цифрымен белгіленген транзистор электродының дұрыс аталуы қандай?
|
А) Коллектор.
В) Сток.
С) Катод.
D) Эммитер.
Е) Анод.
|
5.7 Өрісті транзистордың жұмыс істеу принципі қай ағынды пайдалануға негізделген?
А) Өткізетін канал арқылы өтетін және электрлік өрісті басқаратын біратаулы зарядтың негізгі емес тасушылары.
В) База аумағына инжектрленген біратаулы зарядтың негізгі емес тасушылары.
С) Өткізетін канал арқылы өтетін және электрлік өрісті басқаратын бір атаулы зарядтың негізгі тасушылары.
D) Өткізетін канал арқылы өтетін және электрлік өрісті басқаратын әртүрлі атаулы зарядтың негізгі тасушылары.
Е) База аумағына инжектрленген әртүрлі атаулы зарядтың негізгі тасушылары.
5.12 Жұмыс істеу принципі, өткізу мен электр өрісін басқаратын канал арқылы өтетін, біратаулы зарядтың негізгі ағындарын пайдалануға негізделген жартылай өткізгіш құрал аталуы:
А) Динистор.
В) Стабилитрон.
С) Диод.
D) Биөрісті транзистор.
Е) Өрісті транзистор.
5.13 Өрісті транзистор каналы арқылы өтеді:
А) Бір атаулы зарядтың негізгі тасушыларының тоғы.
В) Бір атаулы зарядтың негізгі емес тасушыларының тоғы.
С) Бір атаулы зарядтың негізгі және негізгі емес тасушыларының тоғы.
D) Әр түрлі атаулы зарядтың негізгі тасушыларының тоғы.
Е) Әр түрлі атаулы зарядтың негізгі емес тасушыларының тоғы.
5.14 Өрісті транзистор –бұл шығу параметрімен кіріс параметрі басқаратын жартылай өткізгіш құрал, дәлірек айтқанда:
|
А) Uси кернеуімен Uзи басқарады.
В) Uси кернеуімен Iз басқарады.
С) Iс тоғымен Iз басқарады.
D) Iс тоғымен Uзи басқарады.
Е) Iс тоғымен Uси басқарады.
|
5.15 Ұсынылған шартты белгі келесіге қатысты:
|
А) Барлық типті өрісті транзисторға.
В) p-n типті өрісті транзисторға.
С) Биөрісті транзисторға.
D) МОП типті өрісті транзисторға.
Е) МДП типті өрісті транзисторға.
|
5.16 Х деп белгіленген p-n типті өрісті транзистордың белгісіз элементін белгілеңіз:
|
А) подложки шығысы.
В) Тиек.
С) Қайнар көз.
D) Металл электрод.
Е) Сток.
|
Достарыңызбен бөлісу: |