3. Расчетно-графическая работа. Графо-аналитический расчет однокаскадного усилителя на биполярном транзисторе

Методика и пример расчета усилителя

жүктеу 1,39 Mb.

бет	2/5
Дата	26.01.2022
өлшемі	1,39 Mb.
	#35093

1 2 3 4 5

Биполярлық және өрістік транзисторлардың көрсеткіштерін графоаналитикалық жолмен есептеу

3.2. Методика и пример расчета усилителя.

3.2.1. Схема усилителя с ОЭ (Рис.4.1.)

Рис.3.14.

Для объяснения расчета возьмем условный транзистор с входной характеристикой I_Б= f(U_БЭ) при значениях напряжения U_КЭ= (5-10)В и семейством выходных характеристик I_К= f(U_КЭ) при различных значениях тока I_Б= (0-400)мкА. (Рис.3.15).

Основные предельные эксплуатационные данные таковы:

, , .

Рис. 3.15

3.2.2. Построение линии нагрузки MN.

На основе предельных эксплуатационных данных определяем рабочую область транзистора.

Согласно II закону Кирхгоффа

.

Если Е_П = 18В и R_К= 1кОм , то для:

т. N имеем I_К = 0 и U_КЭ = Е_П =18В и

т.M имеем I_К = Е_П/R_К= 18мА.

3.2.3. Построение переходной характеристики I_Б= f(I_К)

Переходная характеристика строится по точкам пересечения выходных характеристик транзистора для значений тока базы I_Б= (0;100;200;300;400) мкА и линии нагрузки MN.

3.2.4. Выбор рабочей точки О (u_вх=0)

Рабочая точка выбирается на линейной части (аб) переходной характеристики и определяет токи и напряжения I_Б0, I_К0, U_БЭ0, U_КЭ0.

Согласно построениям на рисунке 4.2 получаем:

I_Б0 = 200мкА, I_К0= 9,5мА, U_БЭ0= 0,3В, U_КЭ0= 8,5В,

отсюда , ,

3.2.5. Рабочий режим (u_вх¹0)

В этом случае все токи и напряжения имеют как постоянную, так и переменную составляющие:

u_БЭ₌U_БЭ0₊u_вх,i_Б₌I_Б0₊i_Б_~,

i_К₌I_К0₊i_К_~,u_КЭ₌U_КЭ0₊u_вых.

Однако на входе и выходе имеем только переменные составляющие, которые определяют коэффициент усиления

3.2.6. Расчет h - параметров транзистора.

Расчет h - параметров транзистора производят графически по входным и выходным характеристикам транзистора в районе рабочей точки О.

ΔU_КЭ=5В

ΔI_Б

ΔU_БЭ

Рис.3.16 Рис.3.17
Например (Рис.3.16-3.17):

;

;

;

Определение емкости конденсаторов связи из условия

R_вх = (5 - 10)Х_С, где Х_С – емкостное сопротивление разделительного конденсатора, R_вх – входное сопротивление каскада. При этом мкФ, а

жүктеу 1,39 Mb.

Достарыңызбен бөлісу:

1 2 3 4 5