Логический элемент НЕ реализуется с помощью биполярного транзистора n-p-n cтруктуры. Принципиальная электрическая схема транзисторного логического элемента НЕ и его таблица истинности приведены на рис.10.7.
Схема работает следующим образом. Если на вход x логического элемента подать сигнал лог.0, то транзистор VT будет закрыт и на выходе y появится сигнал лог.1, так как всё напряжение будет падать на закрытом транзисторе. При подаче на вход x логического элемента сигнала лог.1, транзистор VT открывается и на выходе y появится сигнал лог.0, при этом всё напряжение падает на резисторе Rк.
При использовании логических элементов транзисторно-транзисторной логики, построенной с помощью биполярных транзисторов n-p-n cтруктуры, реализуется операция И-НЕ. На рис.10.8 приведена электрическая схема логического элемента И-НЕ и таблица истинности. Схема состоит из двух логических элементов И и НЕ, соединённых последовательно. Транзисторный элемент И имеет несколько входов. На схеме рассматриваются только два из эмиттерных входов х1 и х2 транзистора VT1, коллектор которого соединён с базой инвертора, построенного на транзисторе VT2.
Схема работает следующим образом. Если на входы х1 и х2 транзистора VT1 поступают сигналы лог.0 или на одном из этих входов присутствует сигнал лог.1, то базовый ток пройдет через сопротивление базы транзистора к эмиттерным входам (входу) от “+” источника питания к его “–“. При этом, транзистор VT2 будет закрыт и на его выходе y присутствует cигнал лог.1. Если на входы х1 и х2 транзистора VT1 поступают положительные сигналы лог.1, то в этом случае закрываются эмиттерные входы тразистора VT1 и базовый ток течет через коллектор тразистора VT1 к базе тразистора VT2, открывая его. При этом на выходе у тразистора VT2 появится синал лог.0. электрическая схема логического элемента ИЛИ-НЕ, построенного на транзисторах n-p-n cтруктуры, и его таблица истинности. Если на входах х1 и х2 транзисторов VT1, VT2 присутствуют входные сигналы лог.0, то эти транзисторы будут закрыты и сопротивление между их коллекторами и эмиттерами будет бесконечным. При этом коллекторная цепь этих транзисторов будет иметь положительный потенциал, то есть инвертированный сигнал ИЛИ, который будет поступать на вход транзистора VT3. На выходе у транзистора VT3, работающего в режиме повторителя, появится сигнал лог.1.
В случае поступления на входы х1 и х2 транзисторов VT1, VT2 положительных сигналов лог.1 или на одном из этих входов присутствует сигнал лог.1, то их коллекторные цепи будут иметь отрицательный потенциал. При этом транзисторы VT1, VT2 (или один из них) открываются, и сопротивление цепи коллектор-эмиттер будет равно нулю. Так как Rк>Rэ1, то на общем коллекторном выходе транзисторов VT1, VT2 появится отрицательный потенциал, который поступит на вход транзистора VT3 и закроет его. Сигнал на выходе y транзистора VT3 будет иметь лог.0. Фактически транзистор VT3 является повторителем действия выходного сигнала транзисторов VT1 и VT2, работающих в режиме операции ИЛИ-НЕ.
электрическая схема логического элемента ИЛИ-НЕ, построенного на транзисторах n-p-n cтруктуры, и его таблица истинности. Если на входах х1 и х2 транзисторов VT1, VT2 присутствуют входные сигналы лог.0, то эти транзисторы будут закрыты и сопротивление между их коллекторами и эмиттерами будет бесконечным. При этом коллекторная цепь этих транзисторов будет иметь положительный потенциал, то есть инвертированный сигнал ИЛИ, который будет поступать на вход транзистора VT3. На выходе у транзистора VT3, работающего в режиме повторителя, появится сигнал лог.1.
Достарыңызбен бөлісу: |