216 Основы электроники

Пробное тестирование  

 

 

 

1 

Тест

 по 1-дисциплине  

 

 1. При увеличении температуры полупроводника его сопротивление:  

A) не изменяется 

B) увеличивается 

C) сначала увеличивается, потом уменьшается 

D) сначала уменьшается, потом увеличивается 

E) уменьшается  

 

 2. На входе схемы частота напряжения увеличилась в два раза. Как при 

этом изменится размах пульсации в приведенной схеме: 

 

A) увеличится в два раза 

B) уменьшится примерно в два раза 

C) значительно уменьшится 

D) практически не изменится 

E) частота напряжения не оказывает влияния на пульсации 

 

 3. Укажите физический смысл параметра h 

22

 

A) коэффициент усиления напряжения 

B) выходная проводимость транзистора 

C) входное сопротивление транзистора 

D) коэффициент обратной связи по напряжению 

E) коэффициент усиления тока 

 

 4. Допустимая температура на переходе кремниевых диодов составляет:  

A) более 150 

о

С 

B) 70-80

 о 

С

  

C) 120-150 

о

С 

D) 30-50

 о 

С 

E) 180-200

о 

С 

 

 5. Диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в 

постоянный, обычно называют:  

A) стабилизирующими 

B) выпрямительными 

C) силовыми 

D) импульсными 

E) туннельными 

 

  

Пробное тестирование  

 

 

 

2 

 

 6. В каком режиме работает транзистор, включенный в схему с общим 

эмиттером, если на эмиттерный переход подано прямое, а  на 

коллекторный -  обратное смещение?  

A) в инверсном режиме 

B) в режиме насыщения 

C) в режиме усиления 

D) в режиме отсечки 

E) в режиме электрического пробоя 

 

 7. Напряжение лавинного размножения тиристора можно изменять с 

помощью  

A) напряжением между катодом и анодом 

B) включением параллельно в цепь нагрузки LC - цепочки 

C) включением последовательно в цепь нагрузки LC - цепочки 

D) не изменяется и определяется типом тиристора 

E) тока на управляющем электроде  

 

 8. Определение параметров четырехполюсника типа h определяются при 

условиях 

A) нулевого входного сопротивления 

B) холостой ход  как на входе, так и на выходе 

C) короткое замыкание  на входе и холостой ход  на выходе 

D) короткое замыкание  на выходе, холостой ход на входе 

E) короткое замыкание  как на входе, так и на выходе 

 

 9. На полевом транзисторе  VT1 собрана схема

 

A) одновибратора 

B) усилителя 

C) активного фильтра 

D) интегратора 

E) мультивибратора 

Пробное тестирование  

 

 

 

3 

 

10. Зависимость фазового сдвига  между выходным и входным  

напряжениями усилителя от частоты усиливаемого сигнала – это:  

A) фазо-частотная характеристика 

B) переходная характеристика 

C) амплитудно-частотная характеристика  

D) амплитудная  характеристика 

E) амплитудно-фазовая характеристика